[参考译文] TLV9101：Tox GOx（血管造影）

admin

Guru**** 2551110 points

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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1568593/tlv9101-tox-gox-angstroms

器件型号：TLV9101

工具/软件：

您好、Texas Instruments 技术人员、

我想知道您是否可以就以下产品器件型号与我们分享 Tox - GOx（栅极氧化层厚度，角度测量）和隔离电介质类型（CMOS、SiO2 等）？

BQ25171QWDRCRQ1

MSP430FR5994IRGZ

INA186A3QDCKRQ1

MSP430FR5994IZVW

TLV9101IDCKR

TPS70925DRV

TPS70933DRV

REF3312AIDBZ

我们正在结合我们产品的生命周期表征来评估 TDDB 估算影响。

我们计划在未来的一款产品中使用这些组件。

提前感谢您的帮助

罗恩·古兹曼

高级可靠性工程师

LivaNova 研发工程公司

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2551110 points

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尊敬的 Ron：

[引用 userid=“671536" url="“ url="~“~/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1568593/tlv9101-tox-gox-angstroms ]我们正在结合产品的生命周期表征评估 TDDB 估算效应。 [/报价]

Tox - GOx 信息是专有的过程信息、不会公开提供。即使您签订了保密协议 (NDA)、我也不确定 TI 是否能够提供信息。

让我们知道流程信息的用途。

此致、

Raymond

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2551110 points

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尊敬的 Raymond：

感谢您的提问。

我们的调查目的是根据电介质厚度 (TOC-Gox) 和 TDDB 机制来评估器件、从中可以得出老化估算值、这样我们就可以在产品的生命周期验证中通过老化和 HTOL 来解决。我们预计老化将非常小、但希望在技术文献中的已知 TDDB 表达式（即“可靠性物理与工程、第 3 版“）中基于该值获得一个品质因数。

这是可能的吗？

在规划我们当前和未来产品的过程中、其他设备是否也可以共享相同的信息？

BQ25171QWDRCRQ1

MSP430FR5994IRGZ

INA186A3QDCKRQ1

MSP430FR5994IZVW

TPS70925DRV

TPS70933DRV

REF3312AIDBZ

如果可能的话,那将是很好的,并告诉我,如果你有什么需要从我们的最后?

此致、

罗恩·古兹曼

高级可靠性工程师

LivaNova 研发

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2551110 points

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尊敬的 Ron：

您在上面提供的 IC 列表包括 MCU、电流检测、带隙基准、低压降稳压器产品等。 TI 不同实体为这些不同的 IC 产品提供支持。

关于 TLV9101、我们无法笼统地揭示栅极氧化层厚度信息。在运算放大器半行业中、公司披露过程信息的情况非常罕见、因为过程信息是高度机密和专有的商业机密。

我可以将您的问题转移给其他支持团队、但 HVA 团队不会向我们的客户提供这些信息。请告诉我您将转移到上述哪个产品团队。请告诉我。

此致、

Raymond

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[参考译文] TLV9101：Tox GOx（血管造影）