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[参考译文] TPA3255:TPA3255 OTP 问题

Guru**** 2668435 points

Other Parts Discussed in Thread: TPA3255

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1595049/tpa3255-tpa3255-otp-issue

器件型号: TPA3255

您好:

已检查并确认 TPA3255 的外设电路遵循数据表中的建议。

我们隔离了 TPA3255 部分以进行单独验证。

放大器电源电压为 50V。 在负载测试期间、器件由于过热而进入 OTP、输出只能达到 10W 左右。
我们后来发现、由于布局问题、PVDD 去耦电容器的位置没有足够靠近 IC 引脚。 手动返工并将电容器移至更靠近 PVDD 引脚的位置后、热性能略有提高、从而使输出达到约 25W。

我想问一下哪些其他设计或布局问题可能会导致 IC 出现异常温升。
在 PCB 布局、散热、开关节点布线或可能影响 TPA3255 热行为的元件放置方面、我们还应检查其他因素吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    对于过热问题、布局非常重要、尤其是接地和输出路径。 在输出路径中、您需要确保输出布线较宽。 此外、还有一个连接到 PCB 接地端且足够大的散热器。 您可以参考以下示例是数据表。  

    PVDD 电容器本质上用作电池存储。 是否确认问题与散热有关? 也可能与欠压相关。  

    此致、
    Sydney Northcutt