Other Parts Discussed in Thread: TAS6501-Q1
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器件型号： TAS6501-Q1
我们已计划在 AVAS 项目中使用 TAS6501-Q1。
我在 ISO 7637-2 脉冲 5b 条件下对 PVDD 限制和器件行为进行了一些技术澄清。
根据数据表、我了解以下内容：
- 建议的工作 PVDD 范围：4.5V 至 19V
- 过压关断阈值：约 20.3V 至 22.8V
- 绝对最大 PVDD（直流）：30V
- 瞬态 PVDD 容差：高达 40V、持续≤400ms
我想确认以下几点：
- 如果对 PVDD 施加大约 40V（400ms 内）的脉冲 5b 瞬态、器件是否应该能够承受不会造成永久损坏？
- 在这种情况下、内部过压保护是否会强制器件进入关断（静音状态）、从而使输出端不进行放大？
- 过压保护机制是否完全由硬件控制、并且与软件或寄存器配置无关？
- 瞬态事件发生后、一旦 PVDD 恢复到有效工作范围内、器件是否会自动恢复和恢复正常运行？
您在以上几点进行确认将对我们的设计验证非常有帮助。
