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[参考译文] XTR116:XTR116 旁路电容器的放置

Guru**** 2893300 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1631118/xtr116-xtr116-bypass-capacitor-placement

器件型号: XTR116

在 XTR11x 数据表中、第 10.1 节建议在电源引脚和接地之间连接“低 ESR、0.1µF 陶瓷旁路电容器、并尽可能靠近器件放置“。 XTR11x 芯片上没有“电源“或“接地“引脚。 这只是错误地留在数据表中的一条通用布局建议、还是我遗漏了一些建议?

数据表还建议在芯片的 V+和 I_o 引脚之间放置一个 10nF 去耦电容器、以帮助降低电源噪声、但这似乎是与旁路电容器分开的。


谢谢、

Tim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim:  

    感谢您指出这一点。 正确、建议在 V+和 IO 之间施加一个电容器来改善噪声。 0.1uF 电源引脚和接地语句是从另一个数据表复制而来的。

    对于大多数应用、建议使用 10nF 电容器、对于 HART 应用、该电容器可以减少至 2nF 或 3nF。  

    此致、
    Ashley