Other Parts Discussed in Thread: OPA855, OPA695
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器件型号： OPA855
主题中讨论的其他器件： OPA695
尊敬的 TI 支持团队：
我目前正在从事光学接收器设计、并在我的信号链上观察到一种非常特定的非线性饱和行为。 请您深入了解 OPA855 内部架构在极端输入过驱条件下是否具有已知特性。
系统概述：
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传感器：雪崩光电二极管 (APD) 从激光接收 1ns 光脉冲。
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第一级 (TIA)：带反馈电阻器 Rf = 4k Ω 的 OPA855。
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第二级：OPA695 配置为反相放大器设置、增益为 2。
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测量值：随附的图展示了在链末端（OPA695 之后）测量的峰值输出电压与激光峰值光功率的函数关系。
观察到的行为：
如随附的图中所示、随着光功率的增加、系统呈现出具有中间压降的“双饱和“曲线：
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线性区域和第 1 个饱和：输出线性上升、直到达到大约 2.5V 的第一个饱和点。
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“骤降“/电压下降：随着光功率继续增加、饱和输出电压突然下降约 0.4V（低至~2.1V）。
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二次饱和（硬钳位）：在更高的光功率下、电压会恢复、硬钳位回 2.5V+。
问题：
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您能否确认深度输入过驱期间此特定的“骤降“是否是由激活内部输入保护二极管引起的 OPA855 的已知行为？
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内部钳位机制是否会暂时改变输出级的偏置、从而在前馈接管之前导致该压降？
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可靠性：当 OPA855 在 1 ns 脉冲的情况下反复承受这种深度过驱状态时、是否存在长期可靠性问题？
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是否建议使用任何外部保护方案（例如，输入端的外部钳位二极管）来缓解这种情况、而不会影响 1ns 脉冲所需的带宽？
提前感谢您的时间和专业知识！
此致、
弗洛里安·邦内特 --加兰 — IRIDESENSE
