This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] THS4551:THS4551的布局问题

Guru**** 2384080 points
Other Parts Discussed in Thread: THS4551
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1075089/ths4551-layout-question-for-ths4551

部件号:THS4551

您好,

1)我是否应该从上至下各层拆除电阻器/电容器的所有接地,包括内部接地平面?

2)如何连接前端电阻器 R5接地? 它应该通过或仅从顶层 GND 进入 GND 计划吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,小强

    EVM 用户指南显示了建议的布局:

    https://www.ti.com/tool/THS4551RGTEVM

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     您好,小强,

     正如凯已经建议的那样,最好将其基于 EVM。 我们还在第12节下的设备(THS4551)数据表中提供了其他布局建议。

    1. 对于高速应用,您需要拆下输入/反馈和输出引脚下方的内板(接地和电源)以及这些引脚上连接的部件/轨迹。 它不必用于所有电阻器/电容器。 最重要的是 C10,C7,R6,C1和 R2。  
    2. 最好通过地面。 如果不可能,则可以将其连接到顶层接地。

    谢谢你,
    Sima