[参考译文] OPA551：OPA551FAKTWTG3

感谢马雷克的建议回应。 是否有机会知道可能不符合的参数列表。 您提到了输入偏移电压和漂移，但如果 TI 能够提供准确参数的确认，并且我们检查它们是否不会影响我们的应用性能，我们可以向我们的客户提供这种理由来证明我们的电流降解。 这有可能吗？

再次感谢  

在55ºC º C 时可能无法满足的 OPA551规格 只是数据表中仅为从40ºC º C 到125ºC º C 的 Tj 指定的规格，请参见下文。

    ºC，如果 OPA551FAKTWTG3要在55ºC º C 的环境温度下在+12V 电源或更高的电源上工作，可能没有理由担心，因为在这种情况下，它处于静态(无负载)状态，SOIC 封装的结到环境热电阻为96.7 º C/W，实际结温为 Tj， 自加热 55ºC 将高于40ºC Ω；Tj = 55ºC Ω+(24V*7mA)*96.7 [ºC Ω/W]= 16.3ºC Ω+ 38.7ºC Ω=Ω

所有这些  125ºC 意味着，即使在55ºC º C 的环境温度下，OPA551 SOIC 也将满足所有的温度过高规格，因为其结点温度 Tj 将保持在40ºC º C 到 º C 的指定范围内。

非常感谢马雷克。 非常有用。

马雷克，再多说一句话。 ºC 使用的 OPA551封装为 DDPAK/TO-263-7 (其 RJA 为22.7 μ V/W)，因此在本例中 ，Tj = 55ºC +(24V*7mA)*22.7[μ V/W]= 55ºC ºC + 3.8ºC = 51.2ºC。  40ºC 我们的应用程序，如果我们要满足 º C 以上的 Tj 要求，我们应该更改 OPA551以选择 SOIC 包。 正确吗？

是的，在 无负载条件下，您对 DDPAK/TO-263-7封装的计算是正确的。 在  静态条件下，只要电源电压为+/-12V 或更高，而+/-25V 电源电压或更高且无负载，使用 SOIC 封装就可以确保接线温度高于40ºC º C，同时 PDIP 接线温度也会升高到39.6ºC º C。     40ºC DDPAK/TO-263-7封装，为了将最小接线温度提高到~º C 以上，需要确保封装内的最小功率消耗为0.66W 或更高； Min_Power = 15[ºC μ ºC / 22.7[μ/瓦]-这可以通过输出电流和/或更高电源电压的组合来实现。

非常感谢马雷克