[参考译文] TL081H：新的CMOS H型号是否与旧的JFET型号具有相同的JFET源阻抗失真问题？

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Other Parts Discussed in Thread: TL081, TL072, TL072H, OPA1642, TL052, TL081H, TL082, TL082H

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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1090452/tl081h-does-the-new-cmos-h-model-have-the-same-jfet-source-impedance-distortion-issues-the-old-jfet-models-did

部件号：TL081H
主题中讨论的其他部件：TL081， TL072， TL072H， OPA1642， TL052，， TL082， TL082H

根据此技术说明，旧的JFET TL072随着源阻抗的增加而失真增加，我假设旧的TL081也是如此。新H型号是否仍存在此问题，因为它现在被列为CMOS部件，而不是JFET？

谢谢！

TED

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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您好，Ted，

JFET设计中随着源阻抗的增加而增加的失真来自由变化的共模输入电压引起的输入电容调制。更小的输入电容确实可以降低这种失真。

TL072的输入电容未在数据表中指定，但为7pF (共模输入电容)和4pF (差分输入电容)：

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/50.6012万/tl072-input-capacitance

另一方面，TL072H的输入电容要小得多：1pF共模输入电容和2pF差分输入电容。因此，从这个角度来看，随着源阻抗的增加，失真增加应该会减少。

在最先进的音频应用中，与TL072H有一定的对比之处在于噪音水平相当高。

顺便说一下，当将TL072作为反相放大器运行时，可以消除输入电容调制引起的失真，因为共模输入电压变化将为零。

Kai

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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您好，Kai，感谢您的回复。

我正在研究高阻抗源的低成本缓冲器设计，因此输入电流噪声非常重要。我知道运算放大器比072更好，即使是H型，但它的成本仍然非常合理。我相信目前H版本的噪音至少比旧版本好。

我不确定我提供的链接是否能为您提供，但请查看以下技术说明：

https://www.ti.com/lit/an/slyt595/slyt595.pdf?ts=1648901620887

它描述了一种称为电绝缘(DI)的新过程，用于OPA1642中解决电容调制问题。不幸的是，OPA1642在TI缺货，而且比第三方供应商的TL0xxH部件要贵得多。

除了上面链接的技术说明之外，我似乎无法找到任何有关其他JFET运算放大器使用DI过程的信息，或者其他架构(如CMOS)是否易受电容调制影响的信息。因此，我的问题是TL072的H变体。

我正在查看非反相配置，原因有很多，但我知道反相配置在这个问题上更好。谢谢你。

TED

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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您好，Ted，

您可能还会感兴趣：

https://www.diyaudio.com/community/threads/distortion-and-source-impedance-in-jfet-input-op-amps.26.4797万/page-3

https://www.electronicdesign.com/technologies/analogue/article/2113.176万/input-protection-for-lowdistortion-opamp-circuits

Kai

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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Ted，

在现代CMOS放大器中，我认为ESD结构将是主要的输入引脚电容。 ESD单元比输入CMOS晶体管大得多。在古老的TL081中，JFET相当大，没有ESD电池。 JFET具有固有的ESD级别。

本周我将测试输入电容与共模电压的比较，因为这是一个很好的了解。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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Ron，您好！

您是否知道目前的TL072是否也从该DI流程中获益？ TL052怎么样？我们每年在产品中使用数千个OPAMP。

Kai

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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谢谢Kai。这些内容非常丰富。有趣的是，即使在公司花费时间和金钱来改进像DI这样的流程以减轻其影响之后，也很难获得有关共模失真的信息。我在TI参数搜索页上查看精密运算放大器，它有一些注释描述了各种高级设计技术，包括DI，但DI是唯一一个不能实际用作参数的技术。

我确实注意到John Caldwell提到CMOS运算放大器在常用电压测量方面表现良好，应考虑用于高端音频应用。我怀疑这一点，但这是我第一次看到它直接表述。遗憾的是，他没有详细地帮助我解决我的特定问题。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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谢谢Ron，这将非常有帮助。我不认为您也可以直接测试非反相拓扑中的失真与源阻抗？

TED

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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Kai，我不认为DI过程直接适用于CMOS晶体管，但CMOS架构中的氧化层应该发挥类似的作用。但是，正如Ron所讨论的那样，ESD二极管可能会使高源阻抗失真的任何改善成为现实。希望他的测量结果能对此有所说明。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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Kai，

TL072，TL052将是一个连接隔离过程。所以没有DI。。

Ted，

以下是TL081和TL081H双版本的样本测量。单一版本应接近相同版本。

红色为TL082 (除不包含A或B的C之外的所有其他颜色)，蓝色为TL082H。 VCC=+/-15V

此时未计划THD与源阻抗的测量。

蓝色是更平坦的曲线。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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谢谢Ron。 H曲线看起来适合我的应用。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1641220 points

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谢谢Ron！

Kai

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