[参考译文] INA199：INA199A1DCK.

e2e.ti.com/.../SCHEMATIC1-_5F00_-P06_5F00_PROTECTION.pdf

您好，Mayrim：

请参阅我上一篇文章中随附的示意图。 MH5和MH6是施加9V电压的输入端子。 MH7和MH8是施加12伏(接地为UB-)电压的输出端子。 当Q4 MOSFET打开时，UB-将达到电流感应IC的IN+和IN-引脚。  输入接地电位高于UB-.  

对于某些IC，电流在输入接地和UB--之间流动，即电流开始从输出流向输入。 当我移除此IC时，不会发生这种情况。  

您好，Priyanka，

Mayrim今天不在办公室，我会在她不在时尽力帮助您。

我很难想象您所描述的内容。 如果两个接地电位不同，则当Q4开启时，无论INA199是否存在，都将有电流流动。

以下是我的一些其他观察，如果我错了，请更正

1. MVCC_VIN对于MH7和MH5都是通用的，因此UB是否低于S_GND 3V？

2. 当COMP_OUT为低电平时，ISENSE_IN(或S_GND)对UB-/

3. 在这种情况下，如果您可以标记INA199周围的针脚电压，这将很有帮助。 我怀疑违反了ABS最大电压规格。

此致，

广应用CS产品

您好，Guang

原理图中有3个接地。 输入接地(GND)，S_GND和UB-。 COMP_OUT为低电平，因此S_GND和UB-S为短电平。
Q5，Q6 MOSFET关闭，因此GND和ISENSE_OUT不能短路，正确吗？ 电流不应在GND和UB-(或S_GND)之间流动。
但是，当ub-小于GND (输入GND)时，它在某些板中流动。 当我移除INA199时，这不会发生，因为这是接地电位，所以路径位于IC的某个位置。  

1. MVCC_VIN对于MH7和MH5都是通用的，因此UB-低于S_GND 3V？- 否，UB-和S_GND短路，低于GND (输入接地) 3V。

2. 当COMP_OUT为低电平时，ISENSE_IN(或S_GND)与UB-Correct短路  

3. 在  这种情况下，如果您可以标记INA199周围的针脚电压，这将很有帮助。 我怀疑违反了ABS最大电压规格。-  VCC_VIN对于GND为9V，而VCC_VIN对于UB-为12V。 因此，在IC的IN+和IN-引脚上，电压低于GND。