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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/572192/lmc6001-lmc6001
部件号:LMC6001我们正在电表应用中使用LMC6001a运算放大器进行离子检测。 我们的最低电流范围是1e-14安培,从那里上升 。我们使用+/-5V电源,这些电源被0.1uF和3.3uF tantalums绕过。 它用作反相配置,ii的输出使用BUF634进行缓冲。 我们为每个范围提供的全标度输出为1V。 射频为1Gig ohm并联10pF电容器。 我们正在将DIP安装在DIP插座中,并将输入引脚提升至浮动位置,从而在空气中实现关键连接,而不是在 带有保护环的印刷电路板上进行连接。
我们的问题是,我们在最低的范围内的沉降时间非常长。 要完全解决问题,大约需要30分钟才能达到静态水平。 我们知道它与双极电源无关,因为我们已经非常仔细地检查了它们。 我们也知道这不是一个热问题,因为如果安培完全稳定下来,然后关闭安培,然后再关闭,则需要同样的时间才能再次稳定下来。
我们尝试了多个Dip LMC6001A装置,它们的行为都相同。 我们还没有尝试过一种金属罐变体来看看这种变体是否会有所不同。 我们已非常小心地确保零件清洁,并已使用工具将零件插入到位,因此我们确信没有污染零件。 此部分电子元件安装在铜屏蔽盒中。
我们遵循了应用说明的建议,但其中没有说明我们可能看到的内容。
我们知道我们正在突破运算放大器额定的25个Famps的极限,但我们远远超过了这一极限。
我们花了很多时间来尝试诊断这个特定问题,坦率地说,除非运算放大器在极低电流下工作时有一些独特的东西,否则我们会被绊倒。
期待已在这些级别上工作的工程师提出意见,以便尝试或让我们知道我们是否在追逐彩虹。
Craig Shull
您好,Craig:
是的。 打开时将出现一个较大的瞬态。 这是不可避免的。 从输入到电源都有ESD结构-几乎所有CMOS放大器都通用。 这些结构中的每一个都有几pF的电容,随着电源的移动,这些电容会注入一些电荷。 您会发现其他CMOS电流也会执行相同的操作(缺少ESD结构的基于旧JFET的电流可能不存在此问题-但仍会看到一些打开瞬变)。
我使用了LMC6001,它是LMC60xx同级产品,其级别低至FA级别,因此我知道他们可以做到。 带抬腿的DIP与1pA的差不多干净。 金属封装的支脚更长,而且更易于手动布线-但只要您正确清洁焊接的支腿,您可能不会看到两者之间有太大区别。 我总是用一张纸戳住腿,防止任何助焊剂/烟雾残留物/飞溅物,并吸收任何试图向上移动腿部的助焊剂。 然后在焊接后将其撕开,然后进行清洁。
在集成器和电表应用中,放大器需要保持在缓冲或低增益配置中,直到测量准备就绪。 这通常称为'zero check'(零检查)。
执行此操作的最简单方法是将大反馈电阻器短接为低值(例如1kohm至100kohm -但不是零),直到准备好进行测量。 这实际上使其成为推杆,并在通电期间使放大器保持在受控状态。
切换电阻器是一个有趣的部分。 理想情况下,这是通过低泄漏簧片继电器(正如Keithely和HP所做的那样),一个带接地/防护杆的机械操作开关,或JFET或MOSFET实现的。
JFET和MOSFET的栅电荷会增加稳定时间。 使用MOSFET /JFET (甚至是继电器上的线圈)的诀窍是不在控制信号上使用快速边缘。 逻辑信号的100ns上升时间将通过几个pF门电容爆炸。 使用R-C网络降低速度。
对于电容器-玻璃和陶瓷可以是压电式的。 避免任何应力或振动,因为它们会增加电荷。 有些多聚电容器比其他电容器更糟糕。 最好的是聚丙烯和PTFE (特氟龙)。
对于低值电容器,我最喜欢的低泄漏电容器是一段Teflon同轴电缆(RG-188)或柔性微波硬线。 对于RG-188,只需几厘米即可获得10pF (您可以将其线圈起来)。 同轴电缆是自保护的(将屏蔽连接到电流输出端),内部导线连接到求和节点(您也可以将同轴双负荷电缆用作输入电缆)。 使用良好的盖计,您可以通过将值稍微剪长并修剪端部,直至值正确,从而将值预剪为您想要的值。
在挤压(按压)中,您可以将两条特氟龙导线绞在一起(最好是实心芯)。
如果您还将开关与100G电阻器串联,则您可以选择变阻或集成模式。 由于所需的大值电阻器所涉及的噪声,集成通常在<10pA时完成。 我们在测试仪中使用IVC,如果有足够的时间,可以轻松解决1pA问题。
您始终会有基线泄漏。 要获得0.000pA需要大量工作!
此致,