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[参考译文] THS6184:热阻QFN/HTSSOP差异较大的原因

Guru**** 2551110 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/603759/ths6184-reason-for-high-variance-on-thermal-resistance-qfn-htssop

部件号:THS6184

您好,

有人能解释为什么QFN与HTSOP封装有如此大的区别吗?

QFN theta_jc=1.7°C/W,

HTSSOP theta_jc= 27.5°C/W

虽然两种设备都有暴露的垫,但不能解释10倍以上的差值

是否有替代设备提供:

4通道,

>30伏

>35mA驱动性能

带宽可能太高,当前反馈提供高偏移,低的woudl会更好。  估计的PD * 1.2 瓦特

谢谢,Bertram

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Bertram,您好!

    我有点同意您的评估,即QFN和HTSSOP的theta_JC应该没有这么大的区别,尽管它可能是QFN theta_JC的拼写错误,实际上需要为17°C/W 让我与热封装团队就此进行核实,然后再回来。

    我不认为我们有一个具有4通道的替代器件,它在电压反馈配置中支持大于30V的电源和35mA的驱动能力,可以提供更低的偏移。 我们最近的是电压反馈配置中的LMP8674,但其最大PD限制为0.86 瓦特。

    此致,
    Rohit
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    收到以下更新的热特性,将添加到数据表中

    PWP (HTSSOP)热模型已完成,壳体顶部的 θjc = 23.9 °C/W,如下所示,比PDS中的27.5 °C/W略低。  电源垫(机箱底部)的 θjc = 1.7 °C/W,如下所示。

    θjc,PDS的HTSSOP θjc位于案件顶部,QFN位于案件底部。  我认为HTSSOP应该改为最下面的例子。  n ü θJA与客户关系更密切,这两种包装的这些编号接近,如下所示。

    设备名称THS6184RHFT  

    针脚数24  

    包代号RHF  

    导联架(或基板)编号- 7位644.8517万  

    是堆叠式刀版还是MCM? 否  

    芯片尺寸和说明2528.062 x 3221.99

    结果- Theta JA-High K (标准数据表值) 33.4  

    Result-Theta JC,Top (标准数据表值) 23.1  

    Result - Theta JB (标准数据表值) 11.7  

    结果- psi JT (标准数据表值) 0.3  

    结果- psi JB (标准数据表值) 11.6  

    Result-Theta JC,Bottom (标准数据表值) 1.0