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部件号:ONET8551T 我们当前的APD-TIA ROSA故障如下所示:
APD-TIA ROSA安装在收发器模块中,通电时,当ROSA中的大输入光学功率(如0dBm)突发时,ROSA损坏。
经过故障分析,我们发现APD芯片击穿电压从~30V降至~14V (击穿电压定义为APD暗电流等于100uA),TIA ICC处于正常范围,但两个输出引脚(输出+和输出-)共模电压差很大(>0.2V)。 在微型范围内进行检查时,我们发现TIA的Pina衬垫附近存在明显损坏,如下图所示。 我们想问:
我们还有其他问题:
3. 您能否解释为什么ONET8551的工作温度最大限值为100C? 我发现其他TIA工作温度是125C交叉点温度。
4. TI是否进行过任何实验来证明此部件只能在高达100C的环境温度(或105C的结点温度)下工作?
5.在发布之前,TI是否对此ONET8551芯片执行了高温工作寿命(HTOL)测试? 如果是,您能否将测试报告发送给我们? 包括HTOL测试条件,样品大小等
5.下图是一 个发生故障的APD-TIA至CAN的板内TIA,您认为它是否因大输入电流而损坏?
这对我们来说很紧急,请尽快反馈。 谢谢。
