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[参考译文] INA180：保护器件免受超过26 V的瞬变影响

admin
Guru**** 2398695 points
Other Parts Discussed in Thread: INA180

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/652235/ina180-protecting-the-device-against-transients-greater-than-26-v

部件号：INA180
主题中讨论的其他部件：Tida-0.0302万，

尊敬的各位：

我正在处理汽车应用中电磁阀的电流感应应用和控制电路，控制电路具有一个与电磁线圈平行的自由转动二极管和缓冲器电路。

在数据表(第25页)中，我想实施如附图所示的电路，并想提出一些问题，希望得到一些建议或指导

(1)模拟电磁阀和自由转动二极管，我可以预期一个16-18V的电感电压峰值(没有自由转动二极管，它高于30V)，我应该用什么来保护齐纳二极管D2/D3

我认为18伏？

(2)我的二极管实现是否正确放置和连接数据表建议电阻值小于10欧姆4.7 欧姆是否正常？

编辑：我还想知道是否使用特定的齐纳二极管系列(反应时间正确)，或者是否使用任何标准齐纳系列(如BZX55C(500mW))？  

非常感谢您的指导，我们非常感谢您的帮助

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Peter，
    由于假期原因，我们的回复将会延迟。 在平均时间内，请查看TIDA-0.0302万，了解如何为电流并联监视器提供一般瞬变保护。 我们将在接下来的几天内详细检查您的问题，并回复您。
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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Jason。

    我完全理解这是节假日，没有任何问题，谢谢你的链接，我的想法似乎是正确的，但对我来说，主要的问题是zeners和Resistors的实际值。

    假期快乐
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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Jason。

    我已经通读了TIDA参考设计，还搜索了TI应用说明，所有这些都似乎显示/解释了作为高侧 电流测量的保护。

    这正是我的问题所在，我不确定在  低侧电流测量和负载转储中瞬变的影响，以及如何在低侧配置中保护INA180，参考设计和中清楚了高侧的基础知识  如何将其应用到设计中，但正如所说，在低侧配置中实际上没有任何内容，它是以下任一项

    (1)它对设备没有影响

    (2)您可以应用与高侧完全相同的保护  

    在数据 表中，参考也是高侧  

    我感谢这里的任何帮助或指导，因为我不是一名经验丰富的模拟设计师  

    来自TIDA参考设计

     从数据表

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Peter，
    如果您担心ESD zaps等因素造成的瞬变，则无论高侧或低侧配置，都应应用相同的保护，因为在峰值中，这些电压可能是数百至数千伏。 现在，如果您担心0V至24V共模(在这种模式下，电压峰值可能超过26V)中的几伏过冲，那么低侧配置就不太适用了，因为您的共模始终位于0左右。 您可能仍会在快速边缘周围出现地面下的过冲，您应小心操作，因为输入应保持在-0.2V以上(对于ina180，其他零件不同。 这是指定部件的位置，如果过低，ESD电池可以开始激活。)
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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Jason：

    感谢您的回复和良好建议，

    如果我理解正确，基本上我可以实现参考设计所示的保护电路连接，并尝试查找/计算齐纳二极管或Tranzorb二极管的正确值。

    从参考设计上看，Tranzorb二极管效果不是很好，而使用的zeners可以提供更好的保护。

    因此，这让我想到TI，您会推荐什么作为我们使用INA进行低侧测量的基本电路 ，因为我更关心来自感应线圈的峰值，而不是ESD  

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    TI__Guru**** 2398695 points
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    您好Peter，

     

    Jason让我与您合作，以防您有进一步的问题。

     

    理论上，NMOS的排卸端子会遇到0V至~12.5V的PWM信号。 实际上，根据PCB的制造效果，会出现过度的现象。 也许这是您看到18V的地方？

     

    源端子应始终保持在地面水平。 正如Jason指出的，配置为低侧感应，INA180看到的共模为零伏，绝不能为18V。 我觉得保护二极管其实是没有必要的。

     

    但我期待着你们进一步发表意见。

     

    请注意，广

    应用程序支持-电流感应

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好Guang。

    非常感谢您的回复和宝贵信息。

    我与您和Jason得出了相同的结论，我感谢您花了所有时间和精力与我讨论此问题，现在我确认了这一点，让我更有信心继续进行设计。

    我想我会将低通滤波器放在INA前面的另一个问题 ，您是否建议使用LPF，

    再次非常感谢  

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Peter，

     

    是的，数据表中的9.1 Tm3部分所述的滤波器是可选的，可用于 提高 信号质量。 通常 ，我们建议使用此类过滤器，因为 它不会占用太多空间/成本。   

     

    请注意，广

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Guang，

    感谢您的信息和确认，我是LPF的狂热爱好者，我喜欢到处使用它们 :)

    玩得开心