[参考译文] TLV2372：输入偏置电流/偏移电流

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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/658777/tlv2372-input-bias-current-offset-current

部件号：TLV2372

大家好，

数据表提到TLV2372的输入偏置电流/偏移电流如下所示。但测试条件是VIC=VDD/2。

我想了解当VIC在0~VDD级别更改时，输入偏置电流/偏移电流在此范围内是否也会变化？还是最大值也会根据不同的VIC级别而变化？

谢谢！

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2503725 points

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您好，Luke，

对于某些器件，有一个图表显示了IB和IOS与共模电压的变化，但我们尚未确定此器件的特性。更改VIC将更改IB和IOS电压以及最大值，但很难确定其更改程度，因为它是基于拓扑和过程的参数。

但这是CMOS设备，IB和IOS均为低电压，是由输入ESD二极管的漏电流引起的。您的应用是否具有较大的输入电阻或其他较大的电路电阻，您可能会担心这些偏移的影响？通常，这些偏移不是CMOS放大器中的主要偏移源。

-Paul

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2503725 points

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您好，Luke，

我想在我的答复中再补充一点细节。如果您阅读Bruce Trump e2e.ti.com/.../i-need-high-input-impedance的博客文章，您将会看到获得设备输入阻力的一种方法是执行您所询问的扫描。

查看TLV2372的数据表，我们发现Rin为1000千欧姆，这意味着测量IB变化非常困难，变化非常小-斜率为1pA/V 因此，粗略估计，如果将VIC向上移动1V，您将看到IB增加1pA。

我希望这一点是明确的。如果您担心此值的变化，请随时分享您的申请详情。
-Paul

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