This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMV225:θJt μ A

Guru**** 2551110 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1108650/lmv225-jt

器件型号:LMV225

大家好、

您能否共享 LMV225SD/NOP 的 μ θJT 数据?

此致。
Kengo。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kengo、

    请查找以下针对 LMV225SD 的热指标:  

    热指标(1)
    Theta JA-High K (2)= 90.9°C/W
    Theta JC、顶部(3)= 81.3°C/W
    Theta JB (4)= 60.6°C/W
    Ψ JT (5)= 4.0°C/W
    Ψ JB (6)= 60.8°C/W
    Theta JC、底部(7)= 11.2°C/W

    (1)有关传统和新热指标的更多信息、请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告(SPRA953)。
    (2)在 JESD51-2a 描述的环境中、按照 JESD51-7的规定在 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真、从而获得自然对流条件下的结至环境热阻。
    (3)通过在封装顶部模拟冷板测试来获得结至外壳(顶部)热阻。 不存在特定的 JEDEC 标准测试、但可以在 ANSI SEMI 标准 G30-88中找到详细说明。
    (4)如 JESD51-8中所述、通过在带有用于控制 PCB 温度的环形冷板夹具的环境中进行仿真来获得结至电路板热阻。
    (5)结至顶部特征参数 ΨJT 估算器件在实际系统中的结温并被提取
    RθJA JESD51-2a (第6节和第7节)中描述的程序从用于获取 μ H 的仿真数据中获得。
    (6)结至电路板特性参数 ΨJB 估算器件在实际系统中的结温并被提取
    RθJA JESD51-2a (第6节和第7节)中描述的步骤从用于获取 μ H 的仿真数据中获得。
    (7)通过在外露(电源)焊盘上模拟冷板测试来获得结至外壳(底部)热阻。 没有具体说明
    JEDEC 标准测试存在、但可以在 ANSI SEMI 标准 G30-88中找到详细说明。

    此致、

    David Chaparro