我正在研发用于音频目的的分立式运算放大器、JFE2140似乎非常适合用作输入级。 但是、在将模型导入到我的首选仿真 Microcap 12中时、我看到输入偏移量偏高。
我能够在 PSpice for TI 中大致复制此行为
因此、我不认为它反映了导入或仿真软件中的错误。
更改集成二极管 Rs
和击穿电压
这两个值似乎都恢复了数据表中的正确行为-是否可以检查当前.lib 中的值是否正确？
我要注意的是、即使在二极管浮动的情况下、此修复也有效、在我的测试中、二极管悬空似乎不会影响 SPICE 中的失调电压行为。
您好、布莱恩、
我在 TINA-TI 中得到类似的结果。
如果 BV = 10：
如果 BV = 40、则：
e2e.ti.com/.../blaine_5F00_jfe140.TSC
Kai
尊敬的 Kai：
感谢您在 Tina 中进行复制！
考虑到我无法想象数据表实现的预期输出偏移超过2V、似乎或另一个参数必须不正确 
布莱恩、
您观察到的是行为模拟电流、如下所示：
电流乘以左侧的1Mohm 电阻可得出较大的偏移值。 正确应用模型值以模拟此行为。
此致、
Chris Featherstone
尊敬的 Chris：
在这里、我可能会误解您、但我不确定、如果是这种情况、更改二极管击穿电压会改变行为-正如前面所说的、即使晶体管模型不变、这也会从根本上改变输入偏置。
我也不确定数学是否会累加-在此模型中、当 ID 为1mA 且电压约为11Vds 时、我们会看到偏移为6.979V/1MEG = 6979nA。 除非我误读了该图、否则我们期望该范围内的栅极电流接近1-10nA。
输入偏置看起来也不会像模型中的图那样变化-将电源轨电压减半(除非我缺少任何东西、否则不会将 VDS 减半)会将输入失调电压降至20uV 以下
同时将其提高到每侧12个、会立即将其升高到 mV 范围
这会将二极管击穿电压升高到12V、从而返回到 UV 范围
如果模型行为正确、那么我认为 JFE2140不适合我的设计、但在这种情况下、二极管似乎专门限制了它在低电压设计中的使用-同样、除非我在这里解释错误。
布莱恩、
未对输入失调电压建模。 我们发布了一个模型、该模型可用于许多不同的配置、而差分对配置中的模型则用于对输入失调电压进行建模。 在 Tina 中、每个都有相同的 Vgs。
模型中的二极管对图6-6建模、这是 JFE2140器件10V 后的 IG 泄漏。 由于工具和建模的限制、该模型旨在仅显示高达10V 的器件的可用性、如图6-6所示。 仿真中的电流在10V 时要高得多、如下所示。 测量值是您对上面图6-6所示实际器件的预期值。 请注意、泄漏电流也会在测量值中产生、但由于 SPICE 的限制、该模型无法准确反映器件测量结果。
此致、
Chris Featherstone
