This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] AMC1311-Q1:隔离电容(CIO)

Guru**** 2587345 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1122239/amc1311-q1-barrier-capacitance-cio

器件型号:AMC1311-Q1

大家好、

隔离电容(CIO)会影响什么性能? CIO=1pF 是否优于  CIO=10pF ?

谢谢、

迪伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!Dylan、

    您认为高侧接地和低侧接地之间的短路连接是个好主意吗? 当然不是。 但电容会在高频下实现这一点。 它在高频时提供或多或少的"良好"短路。 因此、隔离层电容应尽可能小。 否则、诸如 ESD 之类的快速毛刺脉冲会很容易跨越障碍。

    您还可以将隔离电容视为分压器的上半部分。 为了保持高隔离、您希望隔离栅电容具有非常高的阻抗。 在这方面、1pF 的隔离栅电容比10pF 的隔离栅电容要好得多。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!Dylan、

    此外、较小的隔离栅电容意味着穿过隔离栅的能量更少、从而降低 EMI。