[参考译文] OPA858：OPA858 Spice 模型

不知道、我已经决定了这种影响通常不值得考虑。 它在设计人员界面中显示、但如果您开始尝试使其成为主导术语、则无法实现。 我尝试在 OPA656等器件上测量它几次、当我使电阻器足够大以使其增益时、我受到其寄生效应或噪声主导的带限。  

据我了解、这种影响影响我决定在具有 BJT 或 FET 输入的 TIA 中使用哪种运算放大器。

您对以下 TIA 有何看法：

• OPA858、
• CIN=4.5pF、
• RF=130K、Cf=60fF。

仿真显示了26MHz 的带宽、良好的相位行为以及大约1pA/RT (Hz)的平均 RTI 噪声。

查看上图、20MHz 时的输入电流噪声应变为1pA/RT (Hz)。

该 TIA 中有两个传统的噪声源-射频热噪声和运算放大器的 e_n 乘以电路的平均噪声增益：

• 130K 电阻器使热噪声为0.35pA/RT (Hz)
• 噪声增益较高(峰值为1+4.5/0.06=76、平均为38)、在 TIA 输出端为 e_n*NG_avg=2.5N*38=95nV/RT (Hz)、由此得出 TIA 输入端为0.73pA/RT (Hz)
• 将上述两项相加得出0.8pA/RT (Hz)。

仿真显示大约1pA/RT (Hz)。 这是因为输入电流噪声从深度上升还是其他原因所致？

那么、他们会根据您的意见添加一个值、我应该预计测量值超过1pA/RT (Hz)、或者模型内部具有此效应吗？

您能否测试 I_n 与频率间的关系模型？

谢谢你

您好、Michael

好的、好消息。 希望在数字上也能正确完成。

最重要的一点是、它似乎是一个非常精确的模型。

非常感谢

和往常一样，很高兴和你交谈:-)

当然可以

您好、Michael、

有关 OPA858的另一个问题。

它是一个完整的 CMOS 器件(内部的所有晶体管为 MOS)、还是一个 BiCMOS 器件(大多数器件 是与 MOS/CMOS/JFET 输入晶体管具有双极性)？

我需要它来思考未来如何使用它。

谢谢你

除了高速运算放大器(OPA3xx 系列)中的少数例外情况、这些 CMOS 或 JFET 输入器件是经过输入级的互补双极性-可提供更高的满功率带宽/静态电流比。