我遇到了与预期电流读数的偏移、并且很难理解它们可能从何处引入。 在电流为-10A 至+10A 的情况下、偏移始终在-200mA 左右。 该放大器在500A 电池分流器上的低侧测量配置中使用。 电池分流器上的开尔文连接(电路原理图中 GND 和分流负载之间)各走线约为1英寸
mΩ 电阻= 0.1 μ F
SHUNT_CAL = 1280
VBUS = 12V
原理图:
如果您能深入了解这种失调电压的来源、我们将不胜感激!
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我遇到了与预期电流读数的偏移、并且很难理解它们可能从何处引入。 在电流为-10A 至+10A 的情况下、偏移始终在-200mA 左右。 该放大器在500A 电池分流器上的低侧测量配置中使用。 电池分流器上的开尔文连接(电路原理图中 GND 和分流负载之间)各走线约为1英寸
mΩ 电阻= 0.1 μ F
SHUNT_CAL = 1280
VBUS = 12V
原理图:
如果您能深入了解这种失调电压的来源、我们将不胜感激!
Mike、
我查看了您的布局、我认为这正是问题的根源所在。 我将在离线程中为您的布局提供更具体的详细信息、但总的来说、这里是我们提供的布局最佳实践培训视频的链接: https://training.ti.com/ti-precision-labs-current-sense-amplifiers-shunt-resistor-layout
您好 Mike、
测试塞贝克效应的最简单方法是仅加热或冷却连接的一侧(不同金属接触的地方)、并查看这是否会产生影响。 (要20µV 您正在查看的偏移、这将仅是 μ V 的差异)。
不过、还有其他一些说明。 我更详细地了解了您使用的设置、 如果我使用数据表中的 ENOB 表并转换为放大器、您的有效无噪声分辨率大约为93.3mA、因此200mA 偏移误差仅约为2个无噪声有效位。 要测试系统设置、您可能需要增加转换时间并将平均值计算为最大值、以便更好地测量正在发生的情况。
要检查的另一件事是确保 器件未测量泄漏电流、但这可能很难找到...
您好 Mitch、
我已经尝试加热和冷却分流电阻器、以测试是否是回退效应导致的。 它可能是一个很小的影响因素(在20°C 的温度范围内变化+/-~1mA)、但它看起来不是我正在读取的偏移误差的主要来源。
感谢您指出 ENOB、事实证明这是我的代码中的错误。 现在读数更加稳定、但仍偏移-200mA。
我将开始尝试通过隔离电路中的组件来找出任何可能的泄漏电流。 让我知道是否有其他需要检查的地方。
感谢迄今提供的所有帮助。