[参考译文] INA228：电流读数偏移

尊敬的 Mike：

感谢您使用 TI 论坛。 我建议您暂时移除并短接82Ω Ω 输入电阻器、以查看这些电阻器是否会导致问题。  如果这些电阻器匹配不是很好、则可能会导致误差、因此最好排除这些误差。  如果它们最终成为误差源、那么您可以尝试找到更高精度的电阻器或更低的电阻值。

如果这不是问题、则向我发送一个已知电流设置的寄存器转储、以便我也可以查看。   

没有任何变化会使82Ω Ω 电阻器短路。 VSHUNT = 12V、电流= 0.500A 时 INA228寄存器的值如下。谢谢

好的、我会仔细看一下、您是否还可以向我发送布局的图像？

好的。 下午好。

好的、完美

Mike、

我查看了您的布局、我认为这正是问题的根源所在。  我将在离线程中为您的布局提供更具体的详细信息、但总的来说、这里是我们提供的布局最佳实践培训视频的链接： https://training.ti.com/ti-precision-labs-current-sense-amplifiers-shunt-resistor-layout 

感谢您的 Mitch 推荐。 我将研究如何更改与连接到接地层的分流电阻器一侧相关的布局。 我了解这是一个问题、但当零电流流动时、这将是如何造成偏移的？  

我想这是两件事之一。 它 可能来自 GND 层、基于总系统和其他器件消耗电流、但也可能来自外部分流连接不同金属之间的热变化(塞贝克效应)。 很难说100%肯定、不过此时...  我建议您首先进行其他更改、然后查看这是否可以解决问题。 如果不是这样、我们会回到这里、看看我们是否可以考虑运行一些其他测试来帮助解决这个问题。

我使用了一个标量器将迹线切片 到电路板中、并移除与 GND 平面的 IN+连接。 分流电阻器和 IN+、IN-引脚之间的走线更接近相等。 我看不到执行此操作有任何重大变化。 要测试 INA228电流偏移是否由回溯效应引起、 可以说该偏移应随环境温度变化吗？  在加热或冷却分流电阻器时、如果失调电压变化、则会确认回种子效应是误差源？

您好 Mike、

测试塞贝克效应的最简单方法是仅加热或冷却连接的一侧(不同金属接触的地方)、并查看这是否会产生影响。 (要20µV 您正在查看的偏移、这将仅是 μ V 的差异)。

不过、还有其他一些说明。  我更详细地了解了您使用的设置、 如果我使用数据表中的 ENOB 表并转换为放大器、您的有效无噪声分辨率大约为93.3mA、因此200mA 偏移误差仅约为2个无噪声有效位。 要测试系统设置、您可能需要增加转换时间并将平均值计算为最大值、以便更好地测量正在发生的情况。  

要检查的另一件事是确保  器件未测量泄漏电流、但这可能很难找到...

您好 Mitch、

我已经尝试加热和冷却分流电阻器、以测试是否是回退效应导致的。 它可能是一个很小的影响因素(在20°C 的温度范围内变化+/-~1mA)、但它看起来不是我正在读取的偏移误差的主要来源。

感谢您指出 ENOB、事实证明这是我的代码中的错误。 现在读数更加稳定、但仍偏移-200mA。

我将开始尝试通过隔离电路中的组件来找出任何可能的泄漏电流。 让我知道是否有其他需要检查的地方。

感谢迄今提供的所有帮助。

我确认了读数偏移是由 PCB 上其他位置的泄漏引起的。 通过将连接直接焊接到 INA228 IN+和 IN-引脚并将其连接到分流电阻开尔文连接、电流读数更加准确。 感谢 Mitch M 为您提供的所有帮助。

很棒！ 很高兴你能确认它！