[参考译文] TLV9061：电池测试仪设计(SLAA868中的想法)

您好、Jonathan、

为什么不使用简单的电阻器进行放电？ 不够精确吗？

Kai

Johnathan、

原始图中的25 Ω R 负载是最终输出乘积(不是控制系统的一部分)。 在您的情况下、电池是 R LOAD。 这里不需要电阻器、除非您想在 FET 短路时限制电流(故障条件)。  5.1欧姆电阻器应该足够、这样"R-load"可以为零。 使用1欧姆的"Rload"电阻有助于防止某些快速 FET 遇到自振荡(>200MHz)。  

MOSFET 需要能够处理电池电压 VDS、最大电流 IDS 和最大功率 VDS * IDS (考虑您的散热器)。  使用可用的栅极驱动时、FET 的导通电阻必须足够低。  (Rset + RON[FET])< VBAT (min)/I[max]  

使用您的带宽要求 Fbw (更改和稳定所需的速度) 1/(6.28*RFB*CF)> Fbw。   1/(6.28* Riso* Cgate)> Fbw。   

您是否需要最小电流负载为零？  根据消耗、最小负载电流为零和(VIN + Vos)/ Rset 中的较大值、其中 VIN 是"零"输入电压(它真的是零吗？) anf Vos 是运算放大器的输入失调电压。

尊敬的 Kai：

电阻器不适合这种情况、因为电阻器将根据剩余电压而变化。 在3V 电压下为10欧姆时、电流将为300mA、相同电阻器的电压仅为2V 200mA。

实际上、使用 SMPS 时、电流会由于效率而上升。 我的应用需要3.3V 70mA、这相当于230mW、因为效率损失、2V 时的输入电流远高于3V 时的输入电流、因此电阻放电会产生完全错误的输出。

您好、Ronald、

感谢您的回复、

因此、我想我将为 Rload 选择1欧姆的电阻器。 根据应用手册中的公式、最大功耗为300mW

例如、当我查看 CSD13202Q2 MOSFET 时、该 MOSFET 的 RojC+Roja 为66.4 C/W、除了大约20°C 的温升之外、在25°C 的环境温度下会产生45°C 的温度、因此我想我可以在没有散热器的情况下运行。

对于 fbw、10kHz 将绰绰有余、因此我假设：

1/(6.28 * 1k Ω* 10n)= 15923

和

1/(6.28 * 10kOhm * 1000pF)= 15923

所以我会选择
RFB = 1k
CF = 10n
Riso = 10k

是这样吗？

最小电流可以大于零、但应小于5mA

此致、

Jonathan