[参考译文] TLV6710：TLV6710在输入引脚上以&gt；1.7V 运行并被锁存

您好、Anthony、

您的原理图未附带。 您必须使用"插入图像/媒体"按钮(在回形针旁边带有加号的小框)来插入图片。

如果是 PDF、请使用回形针附加文件。

您好、Anthony、

从其外观来看、如果二极管导通、 则输入端应具有大约5V 的电压。 SW_BAT_OFF_N 线路上是否有其他可以钳位的东西？

如果不是、则输入可能会由于某种原因而钳制。 绝对最大值为6V -因此它应该能够接受它(尽管它可能无法正常工作、但不应锁存)。 确保查看所有引脚的瞬态(输入、输出、电源)。 低于接地值的瞬变可能会导致闩锁。

如果不知道瞬态的源极和大小、就很难判断是什么导致了瞬态。 它是否消耗高电源电流？ 如果它是真正的锁存器、它应该汲取大电源电流(mA)。

我可以让您试用一下姊妹产品18V、TLV6700吗？ 与1.7V 相比、它具有更宽的6.5V 输入范围。 它可以直接替代 TLV6700。 但24V 上拉电阻会将其敲出...

当 PIN6被保持在高电平时、它不会消耗很多电流。  该部件不会损坏、一旦移除 VDD、该部件将正常工作。  我断开了 SW_BAT_OFF_N 信号上的所有负载、并且在瞬态之后它仍然会锁存为高电平。   

5V 齐纳二极管钳位在3.5V、因为它由一个10Mohm 电阻器偏置。

我忘了提到齐纳二极管两端有一个.01uF 电容器。  该电容器使器件在瞬态期间更加稳定。  现在、它发生的频率要低得多。  昨天晚上，它每次都发生了，今天早上它首先发生了事情，但现在我无法锁住它。  我将探测所有引脚并将其发送给您、以查看 VDD 或输入上是否存在怪异的东西、但我无法使其不再发生故障。

.01uF 在锁存中产生了很大的差异这一事实似乎表明、输入引脚是导致锁存的问题。  我希望10M 或齐纳二极管能让您看到一些明显的东西、从而使部件闩锁高。  然后、当我在这个论坛上读到输入上的1.7V 要求时、我对输入上有一个5V 齐纳二极管更加紧张。  如果超过1.7V、我恐怕该部件不再用作比较器。  如果您问设计人员这个问题、可能会更好。  如果输入端有3.5V 电压、会出现什么问题？  部件是否变得不稳定、是否可以锁住？  

我可以尝试的另一件事是交换5V 齐纳二极管的阳极和阴极、以便钳位为0.7V 而不是3.5V。  这可以告诉我们该器件不喜欢3.5V 输入。

感谢您的参与、我将尽快与您联系。  请保持此 TT 打开。

BTW、

该器件非常酷、因为它具有宽电压范围、超低功耗、400mV 基准电压和两个小型封装的比较器。  它非常有用！  您的数据表侧重于将其仅用作窗口比较器、但还有数十个其他位置。  我不会将其与输入端的固定电阻器搭配使用、而是将其用作蛮力电压比较器。  我的要点是、数据表具有如此大的限制、我想知道 IC 设计人员是否会使用该器件切断角落、以使其仅用作输入端具有固定电阻器的窗口比较器。

您好、Anthony、

正如您所说的、您可以反向齐纳二极管、或将其替换为"常规"二极管(或两个)、以使电压保持在1.7V 以下。 您只需要获得超过400mV 的电压。

如果任何瞬变从 VBAT_REG 进入、添加电容器将使其软化。 所有电阻器是否都靠近输入引脚？ 从输入引脚到电阻器之间是否有较长的布线？ 如果长迹线经过任何不良的 EMI 点、例如线圈、继电器或变压器、则可以充当天线。

如果 Vbatt 仅高达12V、您只需将其设为分压器、用电阻器替换二极管即可。 假设1MEG 会为您提供1V 电压。 电阻器上可能有一个电容。 或并联二极管以用作备用钳位。

BTW、我不知道您的应用、但"第一次发生"通常指向电路中需要充电或长时间首次上电时消耗高电流的部分。例如具有大旁路电容器的电源。 不要进行几秒钟的循环通电...请尝试将其间隔几分钟或几小时。

您好、Anthony、

我猜是"限制"、因为原始设计人员必须在最大电源电压、输入失调电压和最大输入范围之间做出折衷。 增加额外的输入范围会增加复杂性、降低精度和电源电流、并增加小型封装的芯片尺寸。

对于400mV 跳变点、他们预计大多数应用将位于以400mV 为中心的分压器之后。 1.7V 提供4.25x 的过载范围。

虽然初始应用是窗口比较器、但可以像您所做的那样、用作两个共享基准的独立传统比较器。 我们可能会在下一个数据表修订版中更清楚地说明这一点。

我们确实拥有具有全输入范围内部基准电压的较新器件、例如 TLV4011、TLV4021系列和 TLV4062系列、但它们是5V 器件。 除非您使用外部 MOSFET 和<=5V 电源、否则您的12V 电源和24V 上拉电阻不允许使用这些电源。

Paul、

非常感谢您的来信。  对于像我这样的人、如果将其用于电阻分压器复位电路以外的其他电路、我认为会有用的是、您向我们提供了有关该 IC 在1.7V 最大值之外性能的更多信息 输入范围。  我知道这可能是 IC 批量使用量的一小部分、因此不值得您花费时间、精力或数据表页面。   

但同时、如果您有机会与达拉斯的 Forest Lane 的朋友们共进午餐、他们可能曾遇到过将输出锁存到高阻抗的情况、请告诉我。

同时、我将在我的结尾继续发布、并进行进一步测试。  非常感谢您的意见。

Anthony

非常感谢。

下面是有关锁存的另外两个想法：

1) 1) IC 显然具有内部上电复位和 UVLO 电路：

我认为设计人员可能能够查看这两个电路、看看其中一个电路是否可能被锁存。  锁闭后、我就把它留了一夜、在早上、它仍然锁闭。

2) 2)锁存发生的频率很高、引脚4上没有电容器。  这是一个重要的线索。  现在、我似乎无法使其锁存(它在某个点定期执行)、我可以移除.01uF 电容器并探测 VDD 和引脚3、4、1和6、以便为您提供更多信息。  我还记得在锁存期间探测引脚4、在锁存之前和锁存期间、引脚4上有一些高频(10-100MHz)的东西低于400mV、但它会锁存吗？  我承诺为您提供更多图、以便我们能够找到其底部。

我还检查了布局、在 IC 附近使用二极管、电阻器和旁路电容器看起来不错、但是到 R37的走线很长、连接器 J9连接了开关和长线组件。  一般而言、我认为这是一个可能存在60-100电流浪涌的恶劣环境、因此该部件不是正确的部件、因为它容易锁存。

我将按照您的建议降低较低电压器件、看看会发生什么情况。

我违反了您的数据表、因此这就是我的全部行为。

好的、 Anthony

您好、Anthony、

也许我不清楚。 较低电压器件(TLV6700)仅在高达18V 的电压、电源和上拉电阻条件下才正常工作。 它无法处理24V 上拉电阻。

它怀疑您正从长迹线中获得耦合浪涌。

这是一个微功耗器件。 它没有针对200MHz 的防御能力-并且可以变成一个晶振无线电。 如果确实如此、您可以在输出上添加10-50pF 接地、以将任何射频分流到接地。 如果周围有一些不良的 EMI、还应尝试向 GND 的输入添加~100pF 以分流任何 EMI。

作为一个实验、是否有可能在靠近比较器的 R37中进行拼接？ 我假设 R37靠近"外部世界"的连接器。 将电阻器移到比较器附近可使其吸收瞬态。

如果开关走线很长、并且走线有可能辐射到电路板的其他部分、那么 R37可能会"分离"...连接器 附近50k、比较器处50k。 这将最大限度地减少外部和板载瞬变。

但主要测试是降低3.5V。 转动齐纳二极管、看看情况是否会变得更好...