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尊敬的团队:
1.当+IN>-IN 时、输出= V+; 当+IN<-IN 时、输出= V-、对吧?
2.对于最小反向电流、我不知道为什么我们需要计算该值。 请帮您解释这一点吗? 例如、根据 RDSon (PMOS)=18.75m Ω、最小反向电流为640mA、那么我该怎么办? 哪个参数会受到该最小反向电流的影响?
谢谢、此致、
雪利
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尊敬的团队:
1.当+IN>-IN 时、输出= V+; 当+IN<-IN 时、输出= V-、对吧?
2.对于最小反向电流、我不知道为什么我们需要计算该值。 请帮您解释这一点吗? 例如、根据 RDSon (PMOS)=18.75m Ω、最小反向电流为640mA、那么我该怎么办? 哪个参数会受到该最小反向电流的影响?
谢谢、此致、
雪利
您好、Sherry、
#1 -正确
2:
我假设您参考的是反向电流应用手册。 如果不是、则第4.1节将介绍这一点:
最大偏移电压、迟滞和 Rdson 将决定跳闸点。 TLV1805具有14mV 的内置迟滞和±4.5mV 的最大偏移。
VTRIP = VosMax +(迟滞/2)。
4.5mV + 7mV = 11.5mV 阈值
Itrip = Vtrip / Rdson
11.5mV/18.75m Ω=最大613mA
因此、实际电流取决于比较器的各个偏移/迟滞以及 MOSFET 的 Rdson。 由于没有基准电压或放大器来添加更精密的阈值、因此这是一个粗糙的电路、可能会在运行中的器件之间发生变化。 上述数字应是最坏的情况。
MOSFET Rdson 最终决定了"灵敏度"。 Rdson 越高、反向电流阈值就越低。