大家好、
1.客户反馈如下：
客户生产了一批产品(317件)、共报告了5套性能故障的设备。 其中一名℃在室温下通电时出现性能故障、另一名报告在50 μ s 老化2小时后从高温箱中取出时出现性能故障。
根据反汇编分析、TLV2172失败。 更换 TLV2172后、故障被移除、功能恢复正常。
2、客户委托测试组织分析故障 TLV2172 。 通过对超声波和 X 射线的分析、在故障的3件中发现了以下现象
(1)内层有一个未知的标记
(2)底部 X 射线被分层发现
1正常、2、3不良
(3)打开后，在筋上发现腐蚀和燃烧痕迹
(4)所有开启产品均属同一批产品
客户通过云汉芯城，购买了 TLV2172IDGKR、从 TI 购买的订单号为云汉芯城：T01057115、T01033854。
请帮助分析上述结果的原因
根据图片中的损坏位置、您能告诉我是哪个引脚对引脚损坏
您好、Carolina、
客户表示因为公司的专利问题、所以无法提供完整的原理图。 下图是 TLV2172IDGKR 的应用电路。
此外、客户根据您的判断进行了 ESD 测试。 但我们发现它与您认为可能的情况不匹配。 客户已经进行了三次 ESD 测试、分别为4KV、6KV、8KV、以验证芯片是否损坏、但结果与之前产品上的损坏现象完全不同。 ESD 引起的位置是随机的、但损坏现象是一致的。 下图是其中一个 ESD 开放式图片。
根据薄膜损坏的现象、是否可以排除 ESD 的可能性？
此外、客户还进行了三次 EOS 测试：为 VCC 提供了40-60V 电源以进行碰撞压力测试、这也与您的想法不一致。 其中一个的开头图如下所示
根据打开膜损坏的现象、是否可以排除 EOS 的可能性？
此外、它是否会由闩锁效应引起？
期待您尽快回复
您好、Amy、
在断电期间、我多次看到放电电容器损坏。 假设电源电压的下降速度快于电容需要放电的速度。 然后电流流入 OPAMP 的输入端：
这种情况有许多权变措施：
1.保持电容足够小，使电阻分压器和电容形成的时间常数小于电源电压下降所需的时间。
2.插入一个电阻值为几千欧的限流电阻(红色)。
3.在输入端安装一个比电容高几个数量级的电源去耦电容，允许"自然"断电(不会对信号接地短路或另一个急剧断电)。 如果无法避免急剧断电、请在大去耦电容器的前面插入一个放电电流限制电阻器。
尽管如此、2n7电容器不应能够存储能量以损坏运算放大器的输入。 但谁知道...
OPAMP 异常损坏的另一个原因是振荡。 我看到许多运算放大器由于振荡而损坏。 我想问问自己、您的电路是否存在稳定性问题。 嗯、看到反馈电阻器100R、尤其是10k、我不会感到很愉快。 与运算放大器的输入电容一起提供相位滞后并削弱相位裕度。 振荡的最佳基础...
所以、最后、我认为整个电路应该进行仔细的修订。
Kai
您好、Amy、
输出端的感应线圈？ 这说明了一切！
如下所示、添加这两个肖特基二极管：
BAT54S 应该工作。 或者稍微强一点。
如果 LDO 无法吸收回流电流、请在 OPAMP 的电源线中添加一个串联二极管、不要忘记将 TVS 安装在上面的原理图顶部。
Kai
