大家好、
我的一位客户已使用 LMV324IDR 很长时间。
去年、器件数据表中的 IO (输出短路电流)典型值从160mA 和60mA (SLOS263W)更改为40mA (SLOS263X)。
他们对变化有疑问。 请给我回复。
问题1. IOS 典型值发生变化的原因是什么?
问题2. 当前器件内部芯片是否与以前相同?
换言之、当 IOS 典型 vale 发生变化时、内部芯片是否发生了变化?
非常感谢您的答复。
此致、
Kazuya。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
我的一位客户已使用 LMV324IDR 很长时间。
去年、器件数据表中的 IO (输出短路电流)典型值从160mA 和60mA (SLOS263W)更改为40mA (SLOS263X)。
他们对变化有疑问。 请给我回复。
问题1. IOS 典型值发生变化的原因是什么?
问题2. 当前器件内部芯片是否与以前相同?
换言之、当 IOS 典型 vale 发生变化时、内部芯片是否发生了变化?
非常感谢您的答复。
此致、
Kazuya。
您好 Ron、
非常感谢您的回复。
我在2020年7月21日发布了有关数据表变更的 PCN (产品变更通知、编号20200715000)。
根据该通知、更改的原因是 "为了准确反映器件特性"。
它还说"实际器件没有变化。"
您是否意味着 LMV324IDR 内部芯片将在不久的将来被替换为新芯片
不久之后、将针对芯片更改发布针对此器件的额外 PCN。
再次感谢、致以诚挚的问候、
Kazuya。
Kazuya、
2019年(年终)发送的一些其他器件型号(而非 IDR)有一个 PCN、该器件的制造和工艺发生了变化。 将来可能会有一个用于 IDR 的 PCN。 我不知道时间、甚至不知道时间是否确定。 考虑到另一个 PCN 的日期是2019年底、看起来事情进展缓慢。 请联系 TI PCN 支持以获得更准确的答案(他们的电子邮件位于 PCN 首页上)。
IOS 更改实际上是一件好事。 旧值较高、因为该器件没有电流限制电路。 电流仅受输出晶体管强度的限制;因此短路的应力更大。 新裸片电流较低、因为有有效电流限制功能、有助于保护器件免受意外短路的影响。