主题中讨论的其他器件: INA281
大家好、
这是我们客户的询问。 如果 已知 Vin+和 Vin-以及 Rshunt、请帮助提供计算 INA193 Vout 的公式。
附加电路以供参考:
(I)负载范围为300mA 至1A。 其中输入电压将从5到6.6V 不等
提前感谢您的支持。
此致、
Jonathan
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Jonathan、
以上 Kai 的表达式正确。 公式中的"20"表示与 INA193相关的增益,而 I*Rshunt 表示器件引脚之间产生的感测电压。 这意味着对于给定的最小值和最大值、放大器上的预期输出将是
输出电压@300mA =.492V
VOUT@1A = 1.64V
客户是否在此处使用所选分流器以获得散热优势? 165mΩ 150mΩ 1A 的最大测量值和3.3V 电源、它们实际上可以在此处使用高达1 μ A 的分流器(尽管我会选择类似于1 μ A 的器件来防止器件饱和)。 随着分流器的尺寸增大、输入端产生的感应电压以实物形式增大、这将有助于减少测量低端器件偏移误差。 这需要权衡电阻器上烧结的额外热量、但它们需要确定此处可接受的误差量。
Asha、
当您说25mV 时会出现1.25%的误差时、您所指的是什么图/规格? 误差在这里不会是静态的、但会随着相对于偏移电压增加信号而向下移动。
这是一个计划进行扩展的设计吗? 在曲线中如此低的位置运行时、失调电压将有可能在这里的信号中占据主导地位。 虽然 INA193的典型偏移仅为500uV RTI、但最大值可能为2mV。 集成到24mV 信号中、仅输入信号的误差就接近8%、具体取决于器件之间偏移的分布。 您可以通过迁移到此系列的较新成员 INA281来改进这些规格。
感谢您指出 Kai。
Asha、
虽然图5在25mV 的 Vsense 下确实显示1.25%、但请记住、该曲线展示了器件的典型行为(在100mV 的 Vsense 下为0.75%)。 我上面显示的误差曲线适用于最坏情况下的行为、未考虑器件的测试限制。 根据 EC 表、总输出误差在100mV 的 Vsense 下进行测试、任何表现出大于2.2%误差的器件都将被批次拒绝、但这并不一定会在25mV 标记处外推1:1以进行最坏情况分析。 这就是为什么我在上面问您这是一个打算扩展的设计。
这里是我生成的同一曲线、扩展至 Vsense = 100mV 的条件。 使用80mΩ Ω 分流器、您将在大约1.25A 的电流下生成100mV 的感应电压。 请注意、在最坏的情况分析中、我们正好处于2.2%的误差标记附近。 但是、最坏情况的偏移对25mV Vsense 下的误差影响要大得多: