您好!
由于交付问题、我们正在考虑将 LMV722IDGKR 替换为 LMV722MMX/NOPB。
Q1)由于数据表格式略有不同、因此很难比较 LMV722和 LMV722-n。
我希望您详细地告诉我以下参数以外的两个型号之间的性能差异。
・工作温度范围
每通道・μ A IQ
Q2) LMV722和 LMV722-n 的 IC 是否相同、只有测试过程不同? 或者他们是否具有不同的制造工艺?
谢谢、
Astro
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您好!
由于交付问题、我们正在考虑将 LMV722IDGKR 替换为 LMV722MMX/NOPB。
Q1)由于数据表格式略有不同、因此很难比较 LMV722和 LMV722-n。
我希望您详细地告诉我以下参数以外的两个型号之间的性能差异。
・工作温度范围
每通道・μ A IQ
Q2) LMV722和 LMV722-n 的 IC 是否相同、只有测试过程不同? 或者他们是否具有不同的制造工艺?
谢谢、
Astro
Astro-San、您好!
A1)比较表
►器件型号 | LMV722 | LMV722-N |
制造商 | TI | TI |
通道计数 | 2. | 2. |
与范围间的关系 | 2.2V 至5V | 2.2V 至5.5V |
GBW (MHz) | 10. | 10. |
µs 率(V/μ s) | 5.25. | 5.25. |
Vos 最大值@ 25oC (mV) | 3. | 3. |
Vos 漂移、µV 值(μ V/oC) | 0.6. | 0.6. |
轨到轨 | 输入到 V-、输出 | 输入到 V-、输出 |
Iq 典型值(mA) | 1.03 | 0.9. |
VN (nV/√Hz) | 8.5. | 8.5. |
ISC 典型值(mA) | 24 | 24 |
偏置电流(最大值)(pA) | 400000 | 400000 |
工作温度(°C) | -40至105 | -40至85 |
可用封装 | SOIC-8、VSSOP-8 | SOIC-8、VSSOP-8 |
价格(1ku web $) | 0.344美元 | 0.584美元 |
A2) LMV722-N 是 National Semiconductor 设计。 LMV722旨在与 LMV722-N 紧密匹配(不是相同的工艺)。 后来、TI 收购 了 National Semiconductor。
LMV722-N 与 LMV722的匹配度最高。
您好、Ron
在将您的回复发送给客户后、他们要求提供其他信息。
问题1. 您能否通过此论坛或私人消息向我发送 LMV722IDGKR 和 LMV722MMX/NOPB 的内部电路?
问题2. 如果由于知识产权问题而难以提供1、您是否能够就替换的详细差异向我提供一些建议?
[问题背景]
它们关心 LMV722IDGKR 和 LMV722MMX/NOPB 之间的差异。 如果是正常的更换流程、他们会进行足够的验证、以查看是否可以更换。 但是,由于迫切需要从交付角度进行更换,他们目前无法充分进行这种核查。
谢谢、
Astro
Astro、
LMV722IDGKR 旨在 匹配 LMV722MMX/NOPB 性能。 我找到了一个对二者进行比较的特性数据包(内部 IP)。 对于所有测试、LMV722IDGKR 与 LMV722MMX/NOPB 相同或优于 LMV722MMX/NOPB。 LMV722IDGKR VCM 上限范围稍好一些。 CMRR 、尤其是在高温下、在 DGK 上更好。 2k 和600 Ω 负载时的 VOH 和 VOH 在 DGK 上更好。 DGK 的典型(分布中心) Vos 似乎略 为负 、MMX 略为正。
如果应用程序未超出数据表的共 模范围(或其他 参数)、 则成功的几率 很高。