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[参考译文] LMV722:LMV722和 LMV722-n 之间的差异

Guru**** 1482555 points
Other Parts Discussed in Thread: LMV722, LMV722-N
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1158896/lmv722-difference-between-lmv722-and-lmv722-n

器件型号:LMV722

您好!  

由于交付问题、我们正在考虑将 LMV722IDGKR 替换为 LMV722MMX/NOPB。


Q1)由于数据表格式略有不同、因此很难比较 LMV722和 LMV722-n。
我希望您详细地告诉我以下参数以外的两个型号之间的性能差异。
・工作温度范围
每通道・μ A IQ

Q2) LMV722和 LMV722-n 的 IC 是否相同、只有测试过程不同? 或者他们是否具有不同的制造工艺?

谢谢、
Astro

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    Astro-San、您好!

    A1)比较表

    ►器件型号 LMV722 LMV722-N
    制造商 TI TI
    通道计数 2. 2.
    与范围间的关系 2.2V 至5V 2.2V 至5.5V
    GBW (MHz) 10. 10.
    µs 率(V/μ s) 5.25. 5.25.
    Vos 最大值@ 25oC (mV) 3. 3.
    Vos 漂移、µV 值(μ V/oC) 0.6. 0.6.
    轨到轨 输入到 V-、输出 输入到 V-、输出
    Iq 典型值(mA) 1.03 0.9.
    VN (nV/√Hz) 8.5. 8.5.
    ISC 典型值(mA) 24 24
    偏置电流(最大值)(pA) 400000 400000
    工作温度(°C) -40至105 -40至85
    可用封装 SOIC-8、VSSOP-8 SOIC-8、VSSOP-8
    价格(1ku web $) 0.344美元 0.584美元

    A2) LMV722-N 是 National Semiconductor 设计。 LMV722旨在与 LMV722-N 紧密匹配(不是相同的工艺)。 后来、TI 收购 了 National Semiconductor。  

    LMV722-N 与 LMV722的匹配度最高。

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    您好、Ron

    感谢你的答复。
    我们参考比较表和注释以考虑替换。

    Astro

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    您好、Ron

    在将您的回复发送给客户后、他们要求提供其他信息。

    问题1. 您能否通过此论坛或私人消息向我发送 LMV722IDGKR 和 LMV722MMX/NOPB 的内部电路?

    问题2. 如果由于知识产权问题而难以提供1、您是否能够就替换的详细差异向我提供一些建议?


    [问题背景]
    它们关心 LMV722IDGKR 和 LMV722MMX/NOPB 之间的差异。 如果是正常的更换流程、他们会进行足够的验证、以查看是否可以更换。 但是,由于迫切需要从交付角度进行更换,他们目前无法充分进行这种核查。

    谢谢、

    Astro

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    Astro、

    LMV722IDGKR 旨在 匹配 LMV722MMX/NOPB 性能。 我找到了一个对二者进行比较的特性数据包(内部 IP)。  对于所有测试、LMV722IDGKR 与 LMV722MMX/NOPB 相同或优于 LMV722MMX/NOPB。  LMV722IDGKR VCM 上限范围稍好一些。 CMRR 、尤其是在高温下、在 DGK 上更好。 2k 和600 Ω 负载时的 VOH 和 VOH 在 DGK 上更好。  DGK 的典型(分布中心) Vos 似乎略 为负 、MMX 略为正。  

    如果应用程序未超出数据表的共 模范围(或其他 参数)、 则成功的几率 很高。