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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/874681/tlv1805-used-for-reverse-current-protection-on-low-side
大家好、
我的客户希望将 TLV1805与低侧的 N 沟道 FET 搭配使用、以实现反向电流保护。 当 IN 引脚上的电压低于器件 GND 时、TLV1805是否正常工作？ 电流将被限制在100uA、但器件不仅应该能够承受这种状态、而且在这种情况下仍然正常运行。
感谢您的支持！
此致
Simon
您好、Simon、
指定的共模输入电压范围为(V-)-0.2V... (V+)+ 0.2V。 只要输入电压在该范围内、比较器就会正常工作。
Kai
谢谢 Kai、
数据表指出、如果您将输入电压范围保持在(V-)-0.2V -(V+)+0.2V 之间、则器件将正常运行。 我们不保证这些电源轨之外的正常运行。
此致、
Jonny
你好、Jonny、
感谢您的回复。 您是否对低侧实现有任何原理图建议？ 您认为它可以在低侧工作、还是在低侧工作时会出现什么问题？
Simon、
您对您能够共享的电路还有什么其他要求吗？
实际上、我仅在高侧拓扑中模拟了反向电流保护、但我不会看到在负载和接地之间放置比较器和 MOSFET 存在问题。
请参阅以下有关使用 MOSFET 和比较器进行反向电流保护的文档 ：http://www.ti.com/lit/an/snoaa23a/snoaa23a.pdf
