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大家好、我对 LMH6702的噪声有疑问。
我想知道在80摄氏度的温度下、是否有电压噪声、反相噪声电流和同相噪声电流的数据、或者您是否在该部件的温度范围内有噪声?
我已将此问题发送给 TI 客户服务支持、他们建议我将问题发布在该论坛中、以便我可以请求 在可能的情况下或提供测试噪声与温度高达80摄氏度的关系
有关此器件的技术建议。
谢谢。
克日元
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大家好、我对 LMH6702的噪声有疑问。
我想知道在80摄氏度的温度下、是否有电压噪声、反相噪声电流和同相噪声电流的数据、或者您是否在该部件的温度范围内有噪声?
我已将此问题发送给 TI 客户服务支持、他们建议我将问题发布在该论坛中、以便我可以请求 在可能的情况下或提供测试噪声与温度高达80摄氏度的关系
有关此器件的技术建议。
谢谢。
克日元
您好、Quyen、
我们通常不会在整个温度范围内表征噪声、因此我们没有现成的数据。 不过、有一种方法可以估算所需温度下的噪声。 记录的噪声数据是室温(25摄氏度)下的特征值。 在这种情况下、宽带噪声将是噪声的主要来源、也是与热相关噪声的同义词。 在每个温度下、与其各自值的等式大致相同(晶体管/带宽值在25度和80度之间的最小差异);最显著的值变化将是 T。因此、您可以通过计算 sqrt (353.15K/298.15K)来估算相应的噪声分量。 估计系数结果为 1.088. 80摄氏度下的电压噪声、反相噪声电流和同相噪声电流估计约为:2nV/sqrtHz、20.13pA/sqrtHz、3.27pA/sqrtHz (大于1MHz)。
谢谢、
Sima
真的吗?
我怀疑这个问题的根本原因也是一个偏置电流随温度变化的问题。 电流噪声项是随温度变化而变化的上减 PNP/NPN 晶体管电流的 RMS。 对于这些术语、直流随温度变化的漂移也会成为这个问题。 在 V+输入端最简单的输入 AB 类缓冲级中、输入噪声电流是两个基极电流的 RMS -这些直流电流会由于 β 温度系数而漂移、这也会导致过热噪声数。 用于 LMH6702的 VIP10过程将显示一个随温度升高的 β-因此 V+电流噪声应该具有一个针对输入偏置电流的负 tempco、由于这个项、部分抵消了 ABS。 这里的 T 效应、噪声项显示的 V+电流噪声比反相电流噪声低得多-这表示 V+输入端的基极输入缓冲级、
您好、Michael、
您是对的;由于没有现成的数据、以及缺少获取与晶体管相关的值随您列出的温度变化而变化的易用性、因此这是一个非常粗略的估算。 如果有助于获得这些值、我在以下两个温度下具有输入偏置反相/非反相值:Ibn (uA):25C -8.22、85C -6.14;IBI (uA) 25C -5.53、85C -6.02 (从器件流出的电流)。
谢谢、
Sima