[参考译文] LMH6702：有关 LMH6702噪声与温度间关系的信息

您好、Quyen、

  我们通常不会在整个温度范围内表征噪声、因此我们没有现成的数据。 不过、有一种方法可以估算所需温度下的噪声。 记录的噪声数据是室温(25摄氏度)下的特征值。 在这种情况下、宽带噪声将是噪声的主要来源、也是与热相关噪声的同义词。 在每个温度下、与其各自值的等式大致相同(晶体管/带宽值在25度和80度之间的最小差异)；最显著的值变化将是 T。因此、您可以通过计算 sqrt (353.15K/298.15K)来估算相应的噪声分量。 估计系数结果为  1.088. 80摄氏度下的电压噪声、反相噪声电流和同相噪声电流估计约为：2nV/sqrtHz、20.13pA/sqrtHz、3.27pA/sqrtHz (大于1MHz)。  

谢谢、

Sima

真的吗？  

我怀疑这个问题的根本原因也是一个偏置电流随温度变化的问题。 电流噪声项是随温度变化而变化的上减 PNP/NPN 晶体管电流的 RMS。 对于这些术语、直流随温度变化的漂移也会成为这个问题。 在 V+输入端最简单的输入 AB 类缓冲级中、输入噪声电流是两个基极电流的 RMS -这些直流电流会由于 β 温度系数而漂移、这也会导致过热噪声数。 用于 LMH6702的 VIP10过程将显示一个随温度升高的 β-因此 V+电流噪声应该具有一个针对输入偏置电流的负 tempco、由于这个项、部分抵消了 ABS。 这里的 T 效应、噪声项显示的 V+电流噪声比反相电流噪声低得多-这表示 V+输入端的基极输入缓冲级、  

您好、Michael、

  您是对的；由于没有现成的数据、以及缺少获取与晶体管相关的值随您列出的温度变化而变化的易用性、因此这是一个非常粗略的估算。 如果有助于获得这些值、我在以下两个温度下具有输入偏置反相/非反相值：Ibn (uA)：25C -8.22、85C -6.14；IBI (uA) 25C -5.53、85C -6.02 (从器件流出的电流)。  

谢谢、

Sima

如果您可以找到、原始设计审查可能会在温度和工艺范围内包含输入噪声项的图。  

您好、Michael、

  我碰巧找到了原始设计评论和各种特性图。 遗憾的是、这些都不包括有关输入噪声项随温度和工艺变化的信息。  

谢谢、

Sima

那些 Darn National 的家伙、BurrBrown 等效产品是 OPA695、如果它显示了温度和工艺的分布、至少您可以从该器件中获得一个想法。  

您好、Michael、

  我们在设计审阅和特性表中未找到 OPA695的任何温度/工艺噪声图。 似乎是这些器件的常见问题。

谢谢、

Sima