您好！
我的客户希望进行非常精确的低侧感应、并计划使用 INA191。
问题1：
数据表指定了 Vout = 0.1V 至 Vs-0.1V 时的 EG (增益误差)。
尽管数据表还指定了最大 VSN (相对于 GND 的摆幅)= GND + 1mV、但 TI 在 Vout = 1mV 至0.1V 时是否具有 EG 数据？
问题2：
TI 是否有 EG 老化变化数据？
问题3：
TI 是否有任何其他合适的 INA 候选器件来实现具有非常小封装的非常精确的低侧感应、例如非常精确的低侧感应？
此致、
希拉诺
您好、Kazuhiko、
1.除0.1V 至 Vs-0.1V 之外、TI 没有任何范围的增益误差(EG)数据。 我想指出、当 VOUT < VZL (零电流输出电压)时、客户不应尝试使用测量。 如果 VOUT < VZL、则输出可能会饱和、因此甚至不是线性的。
2. TI 没有 EG 老化变化数据。 尽管如此、我们还是提供了涉及在高温下存储和检查参数的行业标准质量测试报告。 报告可在此处找到： 
3、只要 VCM 能够在0V 电压下工作、我们的大多数器件都可以在低侧使用。 您可以使用参数搜索工具 http://www.ti.com/amplifier-circuit/current-sense/analogue-output/products.html#p3278=Analogue%20Output;Analogue%20Output%20w/%20Integrated%20Comparator;Analogue%20Output%20w/Integrated%20Comparator;Analogue%20Output%20w/Integrated%20Shunt%20Resistor;Analogue%20output&p726min=-22;1&sort=p1170;asc 搜索 VCM 范围、封装尺寸、偏移和增益误差
INA191目前是具有最低偏移的最小器件。 一个有趣的替代方案是 INA185。 它也很小、在0V 共模下具有最大55uV 的偏移、具有更好的带宽和压摆率。
希望这对您有所帮助。
最棒的
Peter
