将 LMH6629和 OPA855用作 TIA 放大器时、通过比较书中两个芯片的参数、我觉得 OPA855的带宽很大、输入电容也很小。 OPA855的性能应优于 LMH6629。 LMH6629稍好一些、OPA855的噪声稍大一些、当互阻抗增益相同时，带宽略窄。 原因是什么？ 两个测试板使用相同的 APD、结电容为1pF、互阻抗为20K、CF 为0.05pF。
您好！ RF 和 CF 将带宽限制在大约150MHz。
下图分别显示了 OPA855和 LMH6629的噪声密度。 可以看出、OPA855电压噪声密度为0.98nV/根数 Hz、电流噪声密度为2.5pA/根数 Hz。 pA/根数 Hz。 可以看出 LMH6629的噪声特性确实更好。 但看一下这两者的输入电容、OPA855的输入电容为0.8pF、LMH6629的输入电容为5.7pF。 很明显、LMH6629的结电容将大得多、这将导致更大的噪声增益和更低的噪声密度。 不能将增益保持很多倍、并且在相同的互阻抗下、LMH6629可实现的最大带宽将会很窄。 但实际情况正好相反、LMH6629的噪声和带宽优于 OPA855。 这是为什么？
因此、我将假定您不会进行后置筛选、因为您选择了不回答该问题。
0.05pF 反馈 C 是 OPA855的理想选择、但对于 LMH6629的平坦响应而言、该值太低。
您需要将 LMH6629和/或后置滤波器的 CF 上调、从而使响应形状预期标准化(OPA855非常接近巴特沃斯、但 LMH6629将达到高峰)。 这是与固定0.05pF 反馈 C 的输出点噪声比较、
这里是 LMH6629的响应形状、未达到我预期的峰值、它们的响应形状不同、OPA855的峰值较小、且范围较广/
如果我运行集成噪声、当您达到1GHz 时、OPA855会稍微高一点、因为 LMH6629在200MHz 至1GHz 的区域中会以更快的速度滚降
我没有看到很多差异、但实际上、您可能需要定义后置滤波器 BW 以获得可靠的结果、而不是对每个结果进行自限、 正如您似乎在做的那样、自限将会在不同器件之间产生 GBP 变化。
