[参考译文] LM358：非使用的运算放大器的引脚处理

上午 Katsu、  

这不是一个坏主意、这经常出现、Bruce Trump 在这里很好地对待了这个话题、  

https://e2e.ti.com/blogs_/archives/b/thesignal/archive/2012/11/27/the-unused-op-amp-what-to-do

您好、Ron、  

这是一个令人难以置信的应用手册。 我想 Bruce 最初在那里的大量运算放大器中评论说、他所展示的简单电路通常是足够的。 您的观点是非常有效的、但我认为在很多情况下、转向二极管的内部串联 R 已经成为您的明显问题。 或者、在其他情况下、一些 R 与这些二极管串联。  

实际上、这些二极管只能用于处理、在电路板中不应发挥任何作用来提供 ESD 保护。 如果您对电源定序的关注实际上会抑制这些问题、我们是否关心？ 当然、在芯片上留下一个前二极管的焊点是不好的做法、因此您的观点是谨慎的。  

Micheal、

我曾经历过一个有趣的案例、其中未使用的运算放大器严重损坏、损坏也影响了所使用的运算放大器。 输入二极管电流会激活可能产生意外结果的寄生晶体管。  

未使用的设置(它是安培2、引脚5、6、7)远非理想值、但谁会期望输入晶体管被烘烤。 裸片损坏非常严重。   

在查看电路板布局之后、我看到引脚4接地和放大器输入接地连接到一个长度为几英寸的 U 形公共接地。 "U"的中心具有高开关电流。  

下面是更精确的原理图。 接地端之间的电压瞬变会产生非常高的二极管(和寄生晶体管电流)、从而导致损坏到达另一个放大器。  

哇、Ron、这是一个有趣的小故事、  

好的、我可以看到糟糕的布局以及错误的未使用运算放大器连接和高 di/dT 会如何影响一切。  

您在该应用手册中展示的是一些确保生存的真正好方法。 问题是、这里的所有运算放大器是否始终都需要这样做。 当然、有些器件包括一些内部限制 R、它们可以承受 ESD 和/或噪声原因、从而帮助保护输入免受此类影响。 设计社区无法了解这一点-可能会从 ESD 和限制 R 的角度在较新的器件中建议有关其输入结构的更多详细信息。  

一个答案是不要在具有未使用级的器件中进行设计。 有趣的地方、奇怪的是、空间的人们更喜欢四倍频器件、如果需要、可以使用具有额外通道的合格器件。 现在、有一个点您需要仔细处理未使用的通道。  

此外、您对触发吸收器件的电流尖峰的关注也是太空中的噩梦。 想象一下、一个由经过的粒子-爆裂的功率器件、有你的卫星-我从一开始就和 NASA 的一位辐射专家谈过一次。 航天 IC 的部分重新设计只是为了去除 ESD 元件。 您肯定不希望边沿触发吸收器飞行。  

尊敬的 Ron、您好 Michael、

我认为、快速电流脉冲导致的信号接地布线电导上的压降的最佳解决方法是使用实心接地层并将其最短连接到此接地层。

即使在今天、许多设计人员仍然认为、只有快速电路才需要实心接地层。 但 Ron 的故事很好地表明这是错误的。 在手机辐射和 ESD 时代、即使是速度最慢的电路也将受益于使用 HF 设计技术、例如使用实心接地层。 在布局设计方面、使用过的运算放大器的速度并不重要、而是 EMI 的速度。 这会达到 GHz 范围甚至更高。

Kai