主题中讨论的其他器件: INA186
您好的支持团队。
我收到了客户的一些询问。
客户必须使用完整的系统来保护器件免受损坏、并且必须不可避免地增加输入电阻。
以下公式中的 rint 为1.3k-2kohm 时的计算结果是否可用?
如果不是、会发生什么情况?
目前、Rint 的值小于10欧姆。
如果您提供一些相关信息、我将不胜感激。
如果您有任何疑问、请告诉我。
感谢您的合作。
此致、
千兆
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您好的支持团队。
我收到了客户的一些询问。
客户必须使用完整的系统来保护器件免受损坏、并且必须不可避免地增加输入电阻。
以下公式中的 rint 为1.3k-2kohm 时的计算结果是否可用?
如果不是、会发生什么情况?
目前、Rint 的值小于10欧姆。
如果您提供一些相关信息、我将不胜感激。
如果您有任何疑问、请告诉我。
感谢您的合作。
此致、
千兆
Daisuke、
答案是肯定和否定的 第7.4.1节中的等式是适用的、INA213甚至有一个简化的表达式:
但是、这些公式仅检查内部电阻处于数据表部分所述值的理想情况。 这里的问题是、您还需要考虑内部电阻的电势容差:
这就是10Ω我们主张使用小电阻的原因、因为小于1 Ω 的电阻会在该容差范围内对所有这些可能性产生最小的影响。 使用高达1k 的电阻器值将会在测量中引入显著误差、即使您使用提供的公式规划了工作点、该公式中的 Rint 值也会按此容差摆动。
如果客户需要使用这种拓扑、我建议查看 INA186等器件、该器件具有电容耦合前端、限流电阻器对增益误差的影响较小。 请查看 此应用手册 以了解更多信息。
Daisuke、
Kai 在这里的所有计数都是正确的。
列出的30%是这些电阻器的最大偏差。
关于内部增益网络的温度系数、我从未在"内幕揭秘"以在晶体管级别充分了解这一点、但我推测该增益网络的温度系数至少与器件的增益漂移相关、 这是最坏情况10ppm。 如 Kai 所指出、将外部电阻器保持在小于10Ω Ω 的值将在此处更有效地减少误差、因为电阻器内部相互修整、这就是器件达到数据表规格值的方式。