我们目前正在日本请求进行故障分析。
这是一个中途过程、但它是 X 射线的结果。
在所有端子上都可以看到被认为是剥落的阴影。
从现在开始、我们将进一步将其分解并检查内部。
毕竟、IC 内部的蒸汽爆炸是由封装的吸湿引起的、但请向我们提供您的意见。
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我将要求质量工程师回答您的问题。 工程师可能今天不在办公室、我会要求他在有空时回复。
最棒的
Raymond
我们将于明天回复您。
如果 INA128s 在成型化合物内部包含一定程度的水分、 当回流过程中快速加热率超过100C 时(部件超过100C 的时间约为300秒)、内部 IC 将产生较高的内部蒸汽压力和"小爆炸"。
最棒的
Raymond
以下是我们的质量工程师对 INA128回流焊曲线的评论。
INA128采用 SO 封装。 它的额定值为 MSL3-260C。
如果封装底板寿命到期、 则应按照 JEDEC 程序对其进行烘烤、 否则、封装吸收的水分(主要是模塑化合物) 将导致爆米和/或脱层。
下面是我根据图和数字对随附的配置文件的评论。
74-76秒的预热浸在低端 (JEDEC 60-120秒)。 在60秒左右回流> 217C 太低(JEDEC 60-150秒)。 峰值温度240C 正常。 5C 至峰值范围内的时间估计略小于30秒(JEDEC 最小值为30秒)。 总体而言、预热和总时间均可延长至217C 以上。
如果您有其他问题、请告知我们。
最棒的
Raymond
感谢你的答复。
我们将在 IC 中向您发送反汇编调查的结果。
通常情况下、由于热应力导致的断开通常被确认为直接在上方断开、但这一次被观察为接合剥落(合金层零件去皮)。
如果由于 IC 封装的吸湿性而减小了键合强度、是否会发生这种情况?
e2e.ti.com/.../INA128UAE4_45659C96E389906708FF8551E89009FF_.pdf
您好!
根据图像、大多数键合线被提起、与我们观察到的 X 射线图像一样、这表示在 PCB 组装期间水分进入、然后进行回流处理。 TI 故障分析专家观察 到由于爆米花效应引起的焊球键合提升。 分析这种情况的最佳方法是通过 CSAM (Acoustic microcopy)、而不是顶部衰减。 INA128UA 自发布以来已大批量发货、最近的组装批次未观察到工艺异常。 请注意、INA128是 MSL 3级产品、必须遵守 JEDEC 标准。
如果需要其他支持、请提交至 TI.com/Returns