[参考译文] OPA2211A BiCom3工艺技术

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Other Parts Discussed in Thread: OPA2211A, OPA828

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大家好、

你好。

OPA2211A 器件采用 BiCom3-HV 工艺技术。根据以下链接上的文档、
SiGe HBT 通常具有~5V 的低击穿电压。为什么 BiCom3-HV 的工作电压高达36V？
此外、它内部是否有 MOSFET 或 Si BJT？

提前感谢！

艺术

0 admin 5 年多前

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尊敬的 Art：

电压不会破坏结构、而是场强。根据 U = E x d、增加结构厚度将使其承受更高的电压。

Kai

0 admin 5 年多前

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感谢 Kai 对这家酒店的关注！

艺术

0 admin 5 年多前

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艺术、

OPA2211A 在称为 BiCom3xHV 的 BiCom3 SiGe 工艺上使用高电压工艺变化。它提供的电压击穿比低电压工艺所实现的高得多。 HV 晶体管的电气参数范围不同于预期的低电压对应范围。

BiCom3xHV 工艺没有 MOSFET、但支持 JFET。 OPA828是一个具有 JFET 输入的精密运算放大器示例、采用 HV 工艺制造。

此致、Thomas

精密放大器应用工程

放大器（参考译文帖）(Read Only)