大家好、
我担心的是、在重新设计的低侧感应设计中、我可以在 INA180A1IDBVR 的输出上观察到干扰。 当电流从0A 开始增大时、可以在附加的捕获中看到干扰在信号的上升沿作为尖峰。
您能否建议出现干扰的原因以及如何解决？
此致、
Andriy。
Carolus Andrews、您好！
感谢你的答复。
我更新了上一帖子的图片、使其更易阅读。
此外、我使用 TI 的 ANI181和 INA240评估板进行了一系列测试。 下面显示的波形是以下设置中 CSA 的输出电压：
A)当 REF 引脚接地或 INA180时、INA181；
b)当 REF 引脚被连接至3.3mV 基准电压时、INA181；
C)当 RFE1和 REF2引脚接地时、INA240。
我想问、在波形(A)上可以观察到的过冲是否是以 GND 为基准的 INA180/181的预期行为？
此致、
Andriy。
Carolus Andrews、您好！
请查看以下请求的测量值：
- INA181的差分输入(IN+至 IN-)与输出电压(电路加载了电阻负载)。
- IN-引脚到 GND 与输出电压的关系(电路加载了电阻负载)。
- INA181的差分输入(IN+至 IN-)与输出电压(电路加载了电感负载)。
此外、我还使用 TI 的评估板(INA180-181EVM 和 BOOSTXL-DRV8320H)对 H 桥设置进行了相同的测试、请参阅下图。
Andriy、
感谢示波器截图。
关于输出基准如何缓解该问题、请查看 此论坛帖子。 我认为、在差分测量放置得如此低(根据屏幕截图低于接地值)的情况下、器件会进入饱和状态、并且需要时间在输入期间恢复。 当放置3.3mV 基准电压时、输出位于器件的 Vos 之上、并偏置到线性区域中、不会表现出这种恢复。
此处可能会增加问题的原因是桥式二极管可能会进入反向恢复事件、因为这种类型的带体二极管的 FET 可能会表现出这种响应。 查看 此博客。 最突出的一点是、您通常只测量电桥的一侧、在这样的开关应用中、您可以通过两种方法之一实现这一目的、即电桥的两个桥臂都包含电流测量分流器、 或者、将像这样一起测量两个桥臂、并且您将在桥臂中获得平均电流(i_meas/n_#_for_l腿部)：
我很好奇，右下侧 FET 的接地端是否会被左下侧 FET 上方的电流* Rsense 悬空，这可能会导致 FET 的体二极管出现问题，或者可能导致 INA180饱和，正如我在前面所说的那样。 是否有办法重新配置您的系统、以便通过同一个 INA181测量两个 FET、 或者、根据另一个 FET 添加第二个电阻以检查这一点(我认为这可能是不可能的、因为您有单向电流流经第二个分支、由 Q2位置的二极管指示)。
关于反向恢复事件、如果该理论正确、具有较低漏源寄生电容的 FET 可能会产生较小的过冲。 由于这可能不是一个选项、因为看起来您是使用 EVM 进行原型设计、因此 INA180输入上的输入滤波电阻可能足以将其移除。 这也是假设它们没有任何开关噪声以某种方式耦合到电源。
Carolus Andrews、您好！
电感器没有浪涌电流。 电流从0A 缓慢增加、因为其变化速率受电感的限制。 不过、您可以清楚地看到 INA180输出端的过冲相同。
为了确保-IN 不会低于 GND、请参阅下面我今天使用校准的500MHz 示波器进行的新示波器捕获。
如果您查看 TI 文档 SLYA047的表3、您会发现 INA180 Vout 在电流= 0时进入非线性区域、这会增加输出延迟时间。
因此、我认为 INA180在延迟后不会恢复(需要更多时间来赶上)、过冲是恢复阶段的背面。 你怎么看？
此致、
Andriy。
