[参考译文] OPA171：双极和 CMOS Vos 温度漂移性能差异

admin

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器件型号：OPA171

大家好、

这是一个令人困惑的放大器温度漂移项。

从下面的培训幻灯片7中可以看到 Vos 温度漂移双极性和 CMOS 比较。

导致不同 Vos 温度漂移性能的根本特征是什么？

此致、

Mia Ma

0 admin 4 年多前

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嗨、Mia、

欢迎使用 e2e！它与"双极和 MOSFET 晶体管的物理内部工作"有关。 Marek Lis 提供的本应用手册更详细地介绍了以下内容：

祝你一切顺利、
卡罗莱纳州

0 admin 4 年多前

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您好、Carolia、

感谢您首次回复。

实际上、 没有进一步解释导致双极晶体管和 MOSFET 晶体管不同物理内部工作的原因。

Vos 是由对称输入级不匹配引起的、双极和 MOS 之间有什么不同的关键特性？

如果双极的 IB 和 MOSFET 的 Vgs 不同的温度漂移导致这种结果呢？

如果方便、请发表评论、非常感谢。

此致、

Mia Ma

0 admin 4 年多前

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您好、Mia、

从所有 TI 资源中、我找不到比"晶体管内部工作原理"更详细的信息。

不过、我确实找到了这篇关于 Berkeley 的演示文稿、其中对不同拓扑结构进行了详细介绍：

为什么需要这些详细信息... 正在解决的问题是什么？

0 admin 4 年多前

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您好、Carolia、

感谢您的回复和参考文件。

实际上、不是针对特定问题、只是一个技术深度探究、令人困惑。

谢谢你。

此致、

Mia Ma

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