[参考译文] INA180B3IDBVR 输出饱和

您好、Randall、

续流二极管关断直接位于线圈两端。 按照安装方法、分流器上可能会出现疯狂的压降、最终甚至会损坏 INA180。

此外、将一个具有足够电容的去耦电容器从分流器的左侧连接到 NMOS 的源极、并将开关元件(当然线圈除外)的所有轨道保持在靠近 INA180的位置。 这意味着：U3、M1、U4和去耦电容器的接地端应彼此非常靠近、否则布局电感可能会导致额外的电感反冲损坏。

通过增加 R15来降低开关速度也会有所帮助。 增加 R15的另一个优势是减少了注入 M1栅极源极电容的电荷。 由于 U3具有陡峭的边缘、大量开关噪声将注入接地线路、从而导致接地反弹、不必要的接地压降和电感反冲。

由于 INA180可能已经损坏、因此采用新的 INA180。

Kai

您好、Randal、

您提到过无论 R13中的电流如何、VOUT 为5V、是否包括 PWM 处于非活动状态且 MOS 开关处于关闭状态？ 在这种情况下、应存在零电流、VOUT 应基本上为零伏。 但您测量的是5V 吗？

您还测试了多少个电路板？ 它们的行为是否相同？

此致、Guang

Guang、是的、当电磁阀断开时、VOUT 仍为5V。 我只测试了一个板。

您好、Randal、

我会检查电路板是否存在潜在的焊接或连接问题、探测 INA180引脚以确保输入/接地等符合预期。

另请注意、该器件有两个引脚分配选项、A 和 B、封装是相同的。 电路板布局是否可能用于其中一个、而另一个电路板则是意外安装的？

此致、Guang

Guang、您好、我已经尝试过另一个具有电阻负载的板、它工作正常。 我将按照 Kai 的建议研究瞬态故障。