我将在低侧感应应用中使用 INA226。 总线工作电压可高达120V、绝对最大值为125V。 我正在考虑使用150k/68k 分压器与内部830k 下拉电阻器配合使用、并将电压降至36V。 在过压情况下、我可以使用撬棒电路熔断保险丝。 但是、我希望器件从反极性恢复、而不会有任何保险丝熔断。
分压器的高输入阻抗是否会保护芯片免受-120V (-36V ON 引脚、尽管可能有内部钳位)的影响？ 或者、对于如何在不影响精度的情况下最好地保护芯片、您还有其他建议吗？ 我将对器件进行校准、因此我只关心相对精度。 但我更希望具有高增益精度和低温度系数。
您好、Michael、
对于反极性、也许您可以使用 P 沟道 MOSFET、齐纳二极管和电阻器、如下面所示。 在这种情况下、当分压器节点处的电压为36V 时、栅源极电压应小于-4V、从而允许电流流经漏源极通道、并向 INA226总线引脚提供大约36V 的电压。 在总线电压反极性的情况下，栅极电压上升到漏极和源极以上并导致 MOSFET 通道闭合，从而形成等效的开路，产生的总线电压应小于-0.3V。 齐纳二极管的目的是确保不超过 MOSFET Vgs 规格、同时电阻器有助于限制生成所需 Vgs 电压所需的电流。
至于您选择的分压器值、我认为这些值通常足以限制总线上的电压。 但是、为了进行校准或后处理、我只想提醒您、INA226的输入阻抗可能会有一些变化(高达15%)。 因此、 您可以预期顶部对应于典型值的以下变化、而底部两对应于您在最大125V 条件下可能看到的最大变化的分压。 在这种情况下、总线超过36V 的非线性运行区域存在运行风险。 但是、由于总线的额定电压最大为40V、因此该器件能够承受这种情况
