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[参考译文] LM139AQML:超过600V 的 ESD 缓解

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: LM139, LM139AQML
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/797303/lm139aqml-esd-mitigation-above-600v

器件型号:LM139AQML
主题中讨论的其他器件:LM139

我需要保护比较器输入以满足2kV HBM ESD 要求。 CAN 外部肖特基二极管可用于将输入钳位到电源轨和接地端、从而在额定600V 范围内提供更高的 ESD 抗扰度。 您是否有关于内部钳位二极管电压与电流的任何数据?

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    尊敬的 David:

    TI 提供了许多版本的 LM139、我想确保我们讨论的是相同的版本。   您的帖子列出了 LM139AQML、这是 TI 在购买 National Semiconductor 时获得的器件的军用版本。   产品说明书是 LM139AQML。

    如数据表所示、输入是 PNP 晶体管的基极、偏置电流如参数表所示。  有关输入偏置电流、请注意以下事项:

    (3)由于 PNP 输入级、输入电流的方向从 IC 流出。 该电流本质上是恒定的、与无关

    输出状态、因此基准或输入线路上不存在负载变化。

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    您好、Kirby、
    是的、此器件用于航空应用、采购额为5962R9673802VDA。 许多航天线束和电介质放电事件现在都被建模为 ESD 事件、我需要规划缓解措施以满足2kV HBM。 TI 数据表介绍了"内置 ESD 保护"、美国国家半导体数据表列出了600V HBM ESD 等级。 您能告诉我该 ESD 保护包含哪些内容吗? 我曾假设电压轨上的小钳位二极管未如原理图所示、但这可能更像是 PNP 输入晶体管 ESD 能力的额定值? 在任何情况下、我都需要确信添加外部肖特基二极管将减轻 IC 的负担。
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    "内置 ESD 保护"注释是一条通用声明、警告产品内部 ESD 保护有限、而没有内部 ESD 单元。
    该产品是在 ESD 保护单元出现之前开发的、没有 ESD 钳位二极管。 输入设计基本上如数据表的原理图所示。
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    因此、在我看来、向电源轨添加外部肖特基二极管可能会保护器件、因为不存在与任何内部 ESD 钳位共享的风险。 您同意吗?
    也就是说、由于 PNP 输入结构、负瞬态是否属于特殊情况? 数据表介绍了如何添加输入钳位、以防止输入变为负电压超过-0.3V"如应用部分所示"-我在应用手册中实际上看不到会实现该低压降的任何钳位。
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    基本上、当您将输入端置于负状态时、您将打开一个 VBE (或正向偏置一个 pn 结)。 在室温下、它将大约为-0.7V。 -0.3V 的限制是为了覆盖整个温度范围。 金属和晶体管的尺寸足够大、能够在不损坏器件的情况下处理高达50mA 的电流。
    我同意您的肖特基二极管评论、并且不会有内部 ESD 钳位二极管。
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    感谢您提供相关信息。 由于我无法保证肖特基钳位接地在最坏的情况下始终完全旁路 PNP 结、因此我计划增加对比较器输入的滤波、以便我保证输入保持在比较器接地基准之上。
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    尊敬的 David:

    您能否展示您想要保护的电路原理图?

    Kai