您好、TI 专家、
我要讨论的原理图如图1所示。
我的 PCB 是4层。 迹线宽度为10mil ,位于顶层,大约50mm。 下面是接地平面、电源平面和底层。 由于寄生电容问题、我移除了这个50mm 走线下方的正平面上的所有铜。 由于电源平面的连接性、我移除了该布线下方电源平面上的大部分铜、黄色标记区域除外、长度约为6mm。 我想知道这样一个6mm 的未蚀铜面积是否会严重降低性能?
图1.
此致
亚涛
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您好、TI 专家、
我要讨论的原理图如图1所示。
我的 PCB 是4层。 迹线宽度为10mil ,位于顶层,大约50mm。 下面是接地平面、电源平面和底层。 由于寄生电容问题、我移除了这个50mm 走线下方的正平面上的所有铜。 由于电源平面的连接性、我移除了该布线下方电源平面上的大部分铜、黄色标记区域除外、长度约为6mm。 我想知道这样一个6mm 的未蚀铜面积是否会严重降低性能?
图1.
此致
亚涛
尊敬的 Kai:
抱歉、抱歉。
我一直保留 Michael 的单词“对于高速器件,我们始终讨论在 I/O 引脚周围打开接地平面和电源平面,直到您遇到某种电阻。 因此、如果您的输出迹线在接地平面或电源平面上脱落、这会很快地增加负载电容。 "在这种情况下、如下图1所示、OP1的输出使用了隔离电阻器 RISO、而50mm 的走线不直接连接到 OP1的输出。
图1.
如果未采用 RSIO、则迹线连接到 OP1、 必须移除迹线下方的平面。
尊敬的 Kai:要获得正确的 Vo、我需要知道从 OP1的输出到 OP2 +端子的电阻。(我的实际原理图与上述内容略有不同、因此 OP2放大器的增益取决于总电阻)
总电阻是否恒定且 等于 RISO+RTRACE+RIN? 其中 RTACE 是长迹线的电阻。
此致
亚涛
您好、Michael、
谢谢。
实际上、我的原理图如下所示。 因此、3062的2个通道用于生成 Vo。 两个通道实际上都与 OP2相差50mm。
幸运的是、从 CH2的输出到 OP2的+节点的电阻无关紧要。 但是、从 CH1输出到 OP2的电阻-节点、Rtotal 决定了 OP2的增益。 增益为 G=1+R2/(Rtotal)。
如果我按照建议使用微带、那么我不确定 Rtotal 是否是恒定的纯电阻。 鉴于微带通常提供 Zo、我不知道它是电阻、电感还是电容。
因此、实际上、我目前还没有使用 Rios1。 然后、Rtotal 可被视为 RIN1。 但是、为了保持稳定性、我想知道6毫米铜会使系统不稳定、还是会使 Rtotal 变得复杂和扭曲。 这就是我发布此主题的原因!
图
此致
亚涛
您好、Michael、
好的、我看到了。
实际上、这种经过修改的电路旨在简化电阻器的选择。 如果没有中间的运算放大器、我将不得不调节 Rin1 (eqauls Riso1)、使其尽可能靠近 Zo。
但是、根据下面的原理图、OP1接近中间运算放大器。 较宽的短迹线可以连接它们、迹线下方的铜蚀刻出来。 此外、在中间运算放大器和 OP2之间应用微带。 中间运算放大器和 OP2的+节点之间的电阻器可以更大一点、以抑制冲洗并仅牺牲一点延迟、因为电阻对 OP2的增益没有影响。 您的意思是 RT2是不必要的。
图
此致
亚涛