[参考译文] INA282：用于电池测试设备的 INA282

您好 Betty、

感谢您深入了解该论坛。 我认为、性能差异可能是制造容差和温度的副产品、而不是由不同的封装造成的。 根据我看到的情况、您正在寻找一个以0A 为中心的最大值为10mA 峰间信号。 这意味着 INA282的 IN+和 IN-之间的输入电压差最多为0.01m Ω x 0.01A/2= 50uV。 如果我们查看 INA282数据表的电气特性表、我们可以看到、相对于输入的偏移电压通常为20uV、但可能高达70uV。 要实际看到输出上的一些有意义的变化、您的输入信号需要大于该偏移。 由于我们可用器件的性能将低于与 EC 表中的规格相关的高斯分布、因此您的 VSSOP 器件可能具有高于20uV 的失调电压、而您测试的单个 SOIC 可能具有低于20uV 的失调电压。 此外、您的测试系统所处的温度也是具有此类小信号的重要因素。 如果您的 VSSOP 是在热室中进行测试、而 SOIC 是在冷室中进行测试、那么 SOIC 更有可能具有更低的偏移、因此性能更好。 如果您的客户想要测量该信号、我建议使用更大的分流电阻器。