[参考译文] DRV8701EVM：DRV8701 - MOSFET 选择

您好、Boris、

所选的 FET 具有非常低的 Vgs 阈值、并且可能会导通。

在第2页的第一个图像中、请注意拉电流高2上的尖峰。 是否应该出现尖峰？

如果不是、这可能表示耦合导致高侧 FET 尝试导通。 请检查布局、特别注意 GH2布线。

此外、如果可能、请将电压降至12V 并监控 FET 的栅极。

如果一切正常、请缓慢增大 VM 电压并观察是否有故障迹象。

这些迹象可能是另一侧 FET 试图过早导通、或者系统中的某种耦合。

嗨、Rick、

感谢您的回答！ 您的 Vgs 阈值很低、但 CSD18540Q5B 的 Vgs 也很低。

在检查布局时、我们将降级板上的 MOSFET 焊接到了一起、并执行了相同的测量。 结果是相同的。 减少虚拟机会产生更好的效果。 随着电压升高的每一步、尖峰都会变得更大。

我们观察到、它也取决于电机电流。 因此、如果 VREF 电平为4、8V (无电流调节)、FET 将损坏。 但是、如果 VREF 电平大约为2、5V (I_CHOP ~ 12A)、FET 仍然有效。 因此、FET 似乎正处于热死区状态、这是因为两个 FET 都导通(栅极上的尖峰)并且电机电流"非常高"。

我们看到的另一件事是、尖峰是在我们关闭 FET 时出现的。 因此、当电机像发电机一样工作时、它与饱和/电压和电流有关。 导通 MOSFET 似乎很好。

为了进行测试、我们在每个 FET 的漏源极焊接了2、2nF 电容器。 它有助于保持尖峰密封剂。 但这不是解决方案、因为如果 VREF 接近打开或处于最大值、FET 仍"燃烧"。

我是诚实的。 我不明白为什么他们在燃烧。 我感觉不好、CSD18540Q5B 也不好。 也就是说、当我们使用接近这些限值边界的 FET 时。 因此、我必须了解正在发生的情况。 我将测量更多的值、并将向您发送详细的结果以进行比较和磁盘。

谢谢

Boris

您好、Boris、

我们将等待您的详细结果。

请提供尽可能多的范围捕获。 如果您可以在此期间测量 FET 的 Vgs、这将特别有用。

您好、Boris、

你有更新吗？ 谢谢你。