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[参考译文] PGA309:

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: PGA309
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/821850/pga309

器件型号:PGA309

您好!

我们将 PGA309用于压力传感器(原型)。 此原型已经过调优、校准、正常(压力和温度)。 但在耐久性测试(温度/压力循环)期间、传感器发生故障。

经调查后,我发现 EEPROM 中有问题:第一个内存地址发生了变化(只有一个地址)。 将 TI 标志5449更改为 E410。 您能解释一下 ASCII 代码的含义吗?  

我找到了一个类似的主题、但没有答案。

谢谢

纪尧姆

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    您好 Guillaume、

    电源电压变为有效后、PGA309等待一个短延迟、然后尝试从外部 EEPROM 读取配置寄存器。 PGA309寻找正确的 EEPROM 已编程的 TI 标志、以及校验和值来确保 EEPROM 被正确编程。   因此、EEPROM 必须使用 TI 标志字0x5449进行编程。 此值必须位于地址位置"0"和"1"中。  十六进制代码0x5449表示 ASCII 二进制字符代码表中的"TI"。  (在 ASCII 中为 T= 0x54="084"和 I=0x49="073")。

    PGA309只使用地址位置'0'和'1'上的值0x5449作为 EEPROM 编程标志。 没有其他值、也没有信息被编程到 PGA309侧的第一个存储器地址。

    因此、从 PGA309的角度来看、一个值 xE410并不意味着任何东西。 EEPROM 是否可能在寿命测试期间丢失一些编程值?  

    谢谢、此致、

    Luis Chioye

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    您好!  

    感谢您的回答、但 这并不能让我对我的航天应用充满信心。

    我将使用 EEPROM 的 WD 引脚来保护数据存储器。

    此致

    纪尧姆

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    您好 Guillaume、

    文章提到、EEPROM 在压力和温度耐受性周期测试期间丢失了 TI 标志信息。 我 了解在    认证测试期间、器件可能会受到 EMI/RFI 或辐射的影响。  在压力/温度耐久性测试或其他 EMI/RFI 认证测试期间、EEPROM 信息是否丢失?   本用户指南讨论了推荐的 PRG 引脚 EMI/RFI 保护、其中可以在 PRG 单线制接口中注入噪声。  虽然 OWD 位(寄存器4 [D15])可以设置为"1"以在最终编程完成后禁用单线接口、但加电后有一个33ms 窗口保持打开状态、其中噪声可以耦合到 PRG 引脚并被解释为相干通信。

    用户指南中的图4-21建议 在 PRG 引脚上使用 AM EMI/RFI 滤波电路、以帮助降低和降低 PRG 引脚上注入噪声的风险。  但是、我同意您的看法  、使用 EEPROM 的 WP 引脚将有助于进一步消除 EEPROM 信息丢失的可能性。

    非常感谢、此致、

    Luis

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    您好!

    EEPROM 仅在压力/温度耐久性测试期间丢失 TI 标志。 但我们必须执行 EMI 测试才能进行鉴定。  

    我们的压力传感器由不锈钢制成、通过焊接进行气密密封、充当法拉第笼。 和输入/输出引脚(通过 TVS)可防止雷击 ESD 和 EMI (EMI 滤波器)。  使用47k 电阻器时、Prog 引脚会对 Vcc 产生影响。 这就是为什么我不 放心的原因。  

    我将 OWD 设置为"1"并使用 EEPROM 的 WP 引脚。

    Thx

    纪尧姆

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    您好 Guillaume、

    感谢您的澄清、将 OWD 设置为"1"并使用 EEPROM 的 WP 引脚应保护编程设置。

    如果您有任何疑问、请告知我们、

    此致、

    Luis