This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TIPD102:修改设计以实现更低的负载合规性和更高的负载电流

Guru**** 1641220 points
Other Parts Discussed in Thread: TIPD102, TINA-TI
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/816589/tipd102-modify-design-for-lower-load-compliance-and-higher-load-current

器件型号:TIPD102
主题中讨论的其他器件: TINA-TI

您好!

我正在开发定制的激光电流驱动器、我看到了应用手册 TIPD102。 在我的应用中、我需要以300mA 的最大输入电流和1.5V 的电压合规性操作激光器。此外、我需要设置 V+= 2.048V 以匹配将与我的 PC 通信的 DAC。  

查看相关的 TINA-TI 文件、我尝试修改这些值以满足我的要求、 但是、一旦我将 V+的值减小到低于一个特定值(4.5V)、系统的第二级就不能提供电压、因此 I_LOAD 下降到非常小的值、这是由于系统 óutput 上 MOSFET 的栅极缺少电压。 在我看来、问题可能与第二个放大级的输入有关、在该放大级中、通过将 V+设置为一个低值、反相和同相输入的值相差太远、OPA 无法正常工作。  

是否有人能够解决我的问题? 如果我不清楚、我将尝试提供更多信息。

提前感谢您、

弗朗西斯科  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请提供有此问题的修改版原理图。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../Tina-Sim-FINAL_5F00_NTF2955_5F00_Compliance-_2D00_-francesco.TSC 

    您好!  

    感谢您的快速回复。

    我在此附上了文件。 理想情况下、我的原理图与应用手册中的原理图完全相同、唯一的区别是为运算放大器提供的电压为5V、V+可以设置为不同的值、在我的情况下、理想情况下为2.048V。  

    非常感谢、

    弗朗西斯科

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您的电路的问题是您将 V1电源降低至2V、并尝试在 V_RS1下获得2V 电压-这是不可能的、因为 VDS=0和 T1 MOSFET 以非线性方式(三极区)运行。  

    因此、为了解决该问题、您必须将 V1电源增加至2.5V 或将 Vin 降低至1.5V -请参阅下面的内容。  将 V1增大至2.5V 可解决问题、I_RS1按预期为1mA -见下文。

    但是、T2 P 沟道 MOSFET 模型不正确、因此第二级不能正常工作。 将 T2替换为 PNP 晶体管可解决此问题、并且 I_Load 会按预期变为100mA -请参阅下面的内容。

    e2e.ti.com/.../Tina-Sim-FINAL_5F00_NTF2955_5F00_Compliance-_2D00_-francesco_5F00_edited.TSC

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    非常感谢您的快速回复。 确实、这很好。

    我还有一个问题。 在回答的第二部分、您说:

    "但是、T2 P 沟道 MOSFET 模型不正确、因此第二级无法正常工作。 将 T2替换为 PNP 晶体管可解决此问题、并且 I_Load 会按预期变为100mA -请参阅下面的内容。"

    这是使用 MOSFET 的一个基本问题、还是与 MOSFET 的 Tina-TI 模型有关的问题? 我之所以提出这一问题 、是因为我在第二阶段也看到了使用 MOSFET 绘制的方案的不同版本(在这种情况下、是 BSO201SPHXUMA1、我没有 Tina-TI 模型)。 实际上、如果我在原始 V1 = 5V 时操作系统、MOSFET 将正常工作、当 V1减小时、MOSFET 开始出现错误行为。

    如果你能澄清这一点,那对我来说是一个很大的帮助。

    此致、

    弗朗西斯科

      

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    这不是 Tina-TI 的问题、因为您可以看到电路在 PNP 晶体管上工作正常。  问题出在 p 沟道 T2 MOSFET 模型。  从任何制造商处挑选实际的 FET 晶体管、并对其附带的模型进行仿真-一切都应该正常。