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[参考译文] LMH6321:EF 引脚#39;s 泄漏电流和 ATE 条件

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: LMH6321

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/868284/lmh6321-ef-pin-s-leakage-current-and-ate-condition

器件型号:LMH6321

尊敬的所有人:

在上一个帖子中、TI 代表提供了以下评论:
“VEF 引脚上的泄漏电流似乎在 ATE 上进行了+/- 23uA 的测试,典型值为75pA。”
我想问一个有关上述内容的问题。

①您能告诉我们测量上述 ATE 结果时的条件吗?
我们是否可以确认在以下条件下使用与数据表中相同的条件?

②使用上述 ATE 进行测量时、您是否测量变化的分布? 如果是、是否可以获得变体分布?
③该 EF 引脚的泄漏电流是否随老化而增加?
如果它随时间变化、是否是由于连接到 EF 引脚的内部开关(FET)的老化?

此致、

是的、奥特伊

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Y.Ottey、

    我认为老龄化在这里不是一个问题。 但温升可能是一个问题。 请记住、EF 性能是通过 RL =无限且 Vin=0V 来指定的。 这是为了将裸片温度保持在最小值。 但是、当 LMH6321必须驱动负载时、裸片温度将上升。 众所周知、集电极发射极泄漏电流会随温度呈指数级上升、因此通过 EF 晶体管的泄漏电流也可能会增加。 因此、了解 LMH6321在测量过程中的温度将非常有趣。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 TI 团队

    我们的客户要求我尽快回复。

    因此、我很高兴您能得到快速回复。

    此致、

    是的、奥特伊

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    您好!

    1)是的、ATE 条件与数据表上显示的条件相同。

    2) 2)不幸的是、我没有变体分布的数据。 ATE 用于确保器件不超过限值。

    3) 3)请参阅 Kai 的评论。 泄漏电流的变化很可能是器件温度的原因、而不是器件老化的原因。

    最棒的

    Hasan Babiker