您好、TI 团队
在以下所示的浪涌条件下施加的浪涌耐受电压是否受到保护?
Pulse1 Ri = 10Ω μ s TD=2ms 500PULSE Vp=-100V
Pulse1b Ri = 10Ω μ s TD=2ms 500PULSE Vp=57V
Pulse2 Ri = 2Ω μ s TD=50us 500pulse Vp=114V
Pulse3a Ri= 50Ω Δ t TD=0.1us Vp=-150V
Pulse3b Ri = 50Ω μ s TD=0.1us Vp=114V
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您好、TI 团队
在以下所示的浪涌条件下施加的浪涌耐受电压是否受到保护?
Pulse1 Ri = 10Ω μ s TD=2ms 500PULSE Vp=-100V
Pulse1b Ri = 10Ω μ s TD=2ms 500PULSE Vp=57V
Pulse2 Ri = 2Ω μ s TD=50us 500pulse Vp=114V
Pulse3a Ri= 50Ω Δ t TD=0.1us Vp=-150V
Pulse3b Ri = 50Ω μ s TD=0.1us Vp=114V
您好、Koji、
通常、如果我们能够满足 ISO 7637-2、16750-2等特殊规格、我们将在数据表中这样说。 由于本数据表未提及、我认为我们不能保证您的器件能够在这些条件下正常运行。 尽管数据表未具体说明它是否符合您的标准、但如果您愿意承担风险、我们可能会推断出它是否符合您的标准。 为了推断器件性能、我认为我们可以使用 ESD 额定值表规格。 假设我正确地解释了 AEC Q100-002标准使用的 JEDEC JS-001测试条件、则电流曲线与下图类似、可以按如下方式计算功率时间乘积。 由于功率与热量相关、这很可能会破坏浪涌事件激活的 ESD 二极管、因此我认为这可能是一种合理的初步分析方法。 借助定义的上升时间、我认为您可以对您的功率时间产品进行类似的分析。 如果它们的输出电压较低、则器件可能更有可能承受。