[参考译文] INA828：EMI 抑制

Ohno-San、

当 电子 加速和解加速时、会产生辐射噪声发射。 它主要通过   与电流变化相关的电磁场传播。 因此、当电流在电路内部变化时、包括在集成电路内部变化时、 存在发射电势 。 但是、即使认为  集成电路内部存在这种情况的机制、也 很难产生可见强度的磁场。  磁场不仅必须具有可观察到的强度、而且必须能够有效地传播到 电路中  其他成为干扰问题的点。

当  发生非常快的开关并且电流水平很高时、最常观察到集成电路的发射。   开关波形上的快速边沿速率会增加发射的频率成分、而高电流会增加场强。 我在线上看到了一些示例 、其中在超快的大栅极高电流处理器上检测到辐射发射。 在这种情况下、检测发射场比使用开关的低功耗栅极容易得多。

INA828等线性放大器集成电路不涉及任何内部开关。 INA828内部的所有节点均以线性方式发挥作用。 我们不期望   它产生任何可察觉的领域。

我们对许多精密放大器产品的测量结果是电磁干扰抑制比 - EMIRR。 这 是一个很好的测量放大器对  其 输入中注入的传导 EMI 的敏感性或抑制能力的方法。  当精密放大   器靠近产生射频场的其他电路元件(例如由处理器、数字和开关电路、振荡器和射频生成电路创建的电路)工作时、这通常是 EMI 问题。 INA828数据表"EMI 抑制"中的第7.3.2节提供  了有关放大器在整个频率范围内的 EMIRR 性能的全面信息。

此致、Thomas

精密放大器应用工程